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李海松; 蒋轶虎; 杨博; 岳红菊; 唐威;
西安微电子技术研究所;
抗辐射集成电路; 双移位寄存器链; CMOS/SOI; 单粒子效应; 单粒子闩锁单; 粒子翻转;
机译:一种用于CMOS自组装薄膜SOI微机电系统的单掩模CMOS兼容工艺
机译:研究在非完全耗尽的SOI CMOS工艺流程中集成的霍尔单元的功能
机译:商业批量65nm CMOS SRAM和触发器中的单事件翻转和多单元翻转建模
机译:宽容PD SOI CMOS D触发器的有效单事件翻转模拟
机译:表面单元支架的机械计算机辅助工程:一种新型电测距表面单元支架的分析设计和结构分析,将其强度与现有设计进行了比较,并应用了实体和有限元建模和分析,并通过简单的静态载荷实验进行了验证。
机译:使用标准BSI工艺制造的3.0μm三倍增益像素的90 dB以上场景内单曝光动态范围CMOS图像传感器
机译:用于CmOs的CmOs / sOI单输入pWm鉴别器
机译:CmOs sRam中单粒子翻转的分析模型和实验结果比较
机译:SOI CMOS工艺中制造的单事件瞬态硬化主要载流子场效应晶体管
机译:SOI CMOS工艺制造的单事件瞬态硬化多数载流子场效应晶体管
机译:具有可控滞后的SOI CMOS施密特触发器电路
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