基于SuperMC对结构缝隙影响中子屏蔽的研究

孟宪芳; 张龙; 孙超; 王士军; 曹可; 马慧玲; 秦培中

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基于SuperMC对结构缝隙影响中子屏蔽的研究

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本文基于Monte Carlo粒子输运计算程序SuperMC,计算了四种含硼聚乙烯(B-PE)结构缝隙对两种谱中子的衰减倍数。为了便于比较不同结构缝隙对中子屏蔽性能的影响,统一与相同厚度无缝隙材料相比得到中子衰减倍数相对减小量,并在相同条件下对计算结果进行了实验验证。结果表明:对于厚度6 cm的B-PE材料,斜缝结构的快中子衰减倍数相对减小量为直缝结构的1/8,斜缝结构的慢化中子衰减倍数相对减小量为直缝结构的1/3,斜缝结构对中子屏蔽产生的负面影响最小。

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来源
《辐射防护》 |2018年第4期|265-269|共5页
作者
孟宪芳; 张龙; 孙超; 王士军; 曹可; 马慧玲; 秦培中;
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作者单位

北京市射线应用研究中心;

辐射新材料北京市重点实验室;

北京100015;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TL72;
关键词
结构缝隙; 中子能谱; 衰减倍数; SuperMC程序;

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