化学气相沉积法制备氧化镓纳米线

王汐璆; 庄文昌; 张凯惠; 付博; 贾志泰; 罗新泽

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β-Ga2O3纳米线是一种新型具有强发光特性的宽带隙半导体材料,作为探测器性能稳定且可靠,近年来受到了极大的关注。本文主要采用化学气相沉积法(CVD),以Ag纳米颗粒为催化剂,在Si(100)衬底上生长了β-Ga2O3纳米线,经EDS、SEM、TEM等技术表征,证明其大部分遵循VLS生长机理,少许遵循VS机制。其中遵循VLS生长机制的β-Ga2O3纳米线更细更长,其形貌均匀一致,长度约为230~260μm,直径约为150~180 nm,且Ag颗粒皆在纳米线顶部。

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来源
《人工晶体学报》 |2019年第12期|2174-2178|共6页
作者
王汐璆; 庄文昌; 张凯惠; 付博; 贾志泰; 罗新泽;
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作者单位

徐州工程学院化学化工学院;

徐州221111;

伊犁师范大学化学与环境科学学院;

伊宁835000;

太原理工大学材料科学与工程学院;

太原030024;

山东大学晶体材料国家重点实验室;

济南250100;

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正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
氧化镓纳米线; 纳米银颗粒; 化学气相沉积法;

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