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化学气相沉积方法生长单晶砷化镓纳米线

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GaAs是一种直接禁带半导体材料,有较大的禁带宽度(1.4eV),相比于硅有更高的迁移率(8500cm2/(V·s)at300K),更高的饱和漂移速度(2.1*107cm/s)和更小的电子有效质量(0.068m0),所以经常被用于红外探测器、发光二极管,微波器件、高速器件等研究领域.对于GaAs材料的关注历来已久,GaAs半导体纳米线的生长工作也越来越受到重视,进来Trukhin等人利用GaAs纳米线阵列实现了THz发生器,进一步拓展了GaAs纳米线的功用，本文报道了一种使用CVD方法生长单晶GaAs纳米线的方法。在Si02/Si衬底上分散金颗粒，使用GaAs粉末为蒸发源，基于VLS (Vapor-Liquid-Solid)机制生长出了大批量的GaAs纳米线，直径在20nm至lOOnm范围，长度可以达到lOμm以上。通过TEM分析，发现GaAs纳米线具有立方结构，晶体生长方向为[111]，并且并无孪晶。本文结果说明基于CVD方法生长的GaAs纳米线可能具有较好的光学、电学性质。

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