具有AlGaAs缓变结构的InGaP/GaAs HBT性能改进分析

周守利; 熊德平

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具有AlGaAs缓变结构的InGaP/GaAs HBT性能改进分析

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对改进型结构具有零导带势垒尖峰的缓变InGaP/AlGaAs/GaAs HBT器件的直流和高频特性进行了理论探讨,并同传统突变结构的InGaP/GaAs HBT的相应性能作了比较。结果表明:在低于30 nm的一定范围内的缓变层厚度下,与突变的InGaP/GaAs HBT相比,改进型结构的InGaP/AlGaAs/GaAs HBT具有更低的offset和开启电压、更强的电流驱动能力、更好的伏-安输出特性和高频特性。

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来源
《固体电子学研究与进展》 |2008年第3期|388-391|共4页
作者
周守利; 熊德平;
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作者单位

浙江工业大学信息学院;

广东工业大学物理与光电工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计与计算;
关键词
铟镓磷/砷化镓; 异质结双极晶体管; 伏-安输出特性; 截止频率;

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