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p型Cu_2O半导体薄膜的电化学沉积研究

         

摘要

以透明导电玻璃(ITO)和铜片为工作电极,用简单铜盐通过阴极还原制备了Cu2O薄膜。采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了反应温度、pH值和电流密度对Cu2O薄膜的微观结构和表面形貌的影响,并对薄膜的生长机理进行了讨论。结果表明:溶液的温度对Cu2O晶体的微观结构无显著影响,而溶液的pH值对Cu2O的生长取向影响明显。在双电极的作用下,电沉积Cu2O薄膜的工作电流可以达到6 mA.cm-2,远远高于文献报导在三电极体系下低于1 mA.cm-2的工作电流密度。

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