...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Electrochimica Acta >p-Type and n-type Cu_2O semiconductor thin films: Controllable preparation by simple solvothermal method and photoelectrochemical properties
【24h】

p-Type and n-type Cu_2O semiconductor thin films: Controllable preparation by simple solvothermal method and photoelectrochemical properties

机译：p型和n型Cu_2O半导体薄膜：通过简单的溶剂热法和光电化学性能可控地制备

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

p-Type and n-type Cu_2O thin films were controllably prepared using a simple solvothermal method by adjusting pH value of the copper (II) acetate aqueous solution. Photoelectrochemical experiments show that the Cu_2O thin films synthesized in acid and alkaline (or neutral) media present n-type and p-type semiconductor character, respectively. Moreover, the films prepared at pH 5 have the best photoelectrochemical properties. The mechanism for the formation of these p-type and n-type Cu_2O films is discussed. The Cu_2O p-n homojunction fabricated in this study shows typical p-n junction character. This facile preparation method may be a promising way to prepare p-n homojunctions for semiconductor devices.
机译：通过简单的溶剂热法，通过调节乙酸铜（II）水溶液的pH值，可控制地制备p型和n型Cu_2O薄膜。光电化学实验表明，在酸性和碱性（或中性）介质中合成的Cu_2O薄膜分别具有n型和p型半导体特性。此外，在pH 5下制备的薄膜具有最佳的光电化学性能。讨论了这些p型和n型Cu_2O薄膜的形成机理。在这项研究中制造的Cu_2O p-n同质结显示出典型的p-n结特征。这种简便的制备方法可能是制备半导体器件的p-n同质结的有前途的方法。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号