氮化镓基高电子迁移率晶体管栅电流输运机制研究

焦晋平; 任舰; 闫大为; 顾晓峰

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制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极结构与性能等效的圆形肖特基二极管结构,测量了器件的变温电流-电压特性,研究其在正向与反向偏压条件下的载流子输运过程。结果表明:(1)正向低偏压线形区的电流主要为缺陷辅助隧穿电流,而体电阻效应显著的高偏压区,经典热发射机制占主导地位;(2)AlGaN势垒层中的极化电场对器件的反向漏电流起重要作用,载流子的主要输运过程为Frenkel-Poole发射机制。

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来源
《固体电子学研究与进展》 |2014年第2期|106-110|共5页
作者
焦晋平; 任舰; 闫大为; 顾晓峰;
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作者单位

轻工过程先进控制教育部重点实验室江南大学电子工程系;

江苏无锡214122;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
铝镓氮; 氮化镓; 肖特基二极管; 缺陷辅助隧穿; 热发射; Frenkel-Poole发射;

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