p型栅结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构优化

葛梅; 李毅; 王志亮; 朱友华

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p型栅结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构优化

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摘要

为了简化后期栅极驱动电路设计、降低成本,工业界对增强型高电子迁移率晶体管的需求与日俱增.采用p型栅结构制备增强型器件的方法是目前极有前景的一种增强型方法.该方法致力于提高器件的正向阈值电压和输出饱和电流,通过Silvaco TCAD软件调节AlGaN势垒层厚度及其Al组分,仿真器件转移特性曲线和输出特性曲线.将AlGaN势垒层厚度优化为20 nm,Al组分优化为0.27,使器件具有更大的阈值电压和输出饱和电流.并通过仿真器件能带结构和AlGaN/GaN沟道中电子浓度,进一步分析器件结构影响其性能的物理机制.结果表明,AlGaN势垒层厚度及其Al组分增加,则器件阈值电压减小,输出饱和电流增加.器件阈值电压与关态时能带结构有关,输出饱和电流与开态时AlGaN/GaN沟道电子浓度有关.

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来源
《南通大学学报（自然科学版）》 |2021年第2期|57-6168|共6页
作者
葛梅; 李毅; 王志亮; 朱友华;
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作者单位

南通大学信息科学技术学院江苏南通 226019;

南通大学信息科学技术学院江苏南通 226019;

南通大学信息科学技术学院江苏南通 226019;

南通大学信息科学技术学院江苏南通 226019;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化合物晶体管、砷化镓晶体管;
关键词
p型栅; 氮化镓; 高电子迁移率晶体管; 仿真;

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