用RTP方法形成AuGeNi—GaAs欧姆接触

赵虹; 许军; 周文益; 刘佑宝

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AUGe Ni—GaAs欧姆接触通常在450℃下合金而成,由于合金温度大于AuGe共熔点363℃,实验中已观察到金属“球聚”和GaAs界面富Ni—As—Ge和富Au—Ga区域的不均匀现象,使得电流不均匀地流过界面,影响了GaAs器件的长期热稳定可靠性。烧结欧姆接触,利用固相反应,能产生均匀的M—S(金属一半导体)界面,但温度范围过窄(350℃

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来源
《微电子学与计算机》 |1992年第3期|F003-F003|共1页
作者
赵虹; 许军; 周文益; 刘佑宝;
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作者单位

骊山微电子学研宄所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
RTP法; 欧姆接解; AuGeNi-GaAs;

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