大动态范围CMOS图像传感器指数时间采样电路的改进

卞育华; 卢结成; 鄢铭

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大动态范围CMOS图像传感器指数时间采样电路的改进

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分析了现有指数时间采样重置电路的结构和写SRAM的工作时序,设计了一种新型的单稳态脉冲生成电路,加入到像素电路中形成新的SRAM写模式.采用此方法使得单个像素的平均写SRAM次数由2-1/2N次降为1次,消除了大动态范围CMOS图像传感器中SRAM的无效写操作.在CSM0.35μm2P4M3.3V的工艺条件下,利用Cadence Spectre和Hspice工具分别对单稳态脉冲电路和改进后的像素电路进行了仿真实验,证明了此方法的有效性.

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来源
《微电子学与计算机》 |2009年第7期|105-108|共4页
作者
卞育华; 卢结成; 鄢铭;
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作者单位

中国科学技术大学电子科学与技术系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
CMOS图像传感器; 指数时间采样重置; 单稳态脉冲; SRAM写模式;

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