PECVD Sin/SiO_2双层膜的应力特性

机译：等离子增强化学气相沉积SiN和液相沉积SiO_2叠层双层减反射膜，用于多晶太阳能电池

机译：通过热等离子体CVD法制备TiBC，TiBN，SiN {sub} x单层膜和TiBC-SiN {sub} x和TiBN-SiN {sub} x双层膜并评估其耐磨性

机译：通过热等离子体CVD方法制备TIBC，TIBN，SIN {SUB} X单层膜和TIBC-SIN {SUB} X和TIBN-SIN {SUB} X双层膜及其耐磨性评估

机译：SIN沉积温度对使用热SIO_2 / PECVD-SIN堆的N型CZ硅基板表面钝化的影响

机译：支持的生物活性Langmuir-Blodgett双层膜的表征和细胞粘附特性

机译：低应力SiN膜支撑的铂膜上在甲醇乙醇丁醇和正庚烷的过热极限下快速蒸发

机译：Si-SiO_2 / SiO_2多层膜的结构和光电特性及其在所有硅串联​​太阳能电池中的应用

机译：功率mEms结构和器件用pECVD厚氧化膜的残余应力和断裂

机译：控制沉积在大衬底表面上的PECVD沉积的A-SiN _{x ：H栅介质膜的膜均匀性和组成的方法}

机译：应力SiN膜的氨基乙烯基硅烷前体产生更高的压应力

机译：用于应力SiN膜的氨基乙烯基硅烷前体