Ge_2Sb_2Te_5薄膜光学性能和短波长静态记录特性的研究

方铭; 李青会; 干福熹

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Ge_2Sb_2Te_5薄膜光学性能和短波长静态记录特性的研究

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利用直流磁控溅射制备了单层Ge2 Sb2 Te5薄膜 ,研究了薄膜在 4 0 0～ 80 0nm区域的反射、透过光谱 ,计算了它的吸收系数 ,发现薄膜在 4 0 0～ 80 0nm波长范围内具有较强的吸收随着薄膜厚度的增加 ,相应的禁带宽度Eg 也随之增加对Ge2 Sb2 Te5薄膜光存储记录特性的研究发现 ,在5 14 .5nm波长激光辐照样品时 ,薄膜具有良好的写入对比度 ,擦除前后的反射率对比度在 6 %～18%范围内

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来源
《光子学报》 |2004年第8期|978-981|共4页
作者
方铭; 李青会; 干福熹;
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作者单位

中国科学院上海光学精密机械研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O484.41;
关键词
Ge2Sb2Te5薄膜; 光存储; 反射率对比度; 光学性能;

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