CMOS门电路电磁信息泄漏评估

丁国良; 常小龙; 陈家文; 武翠霞

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CMOS门电路电磁信息泄漏评估

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通过将CMOS工艺中的导线转化为电偶极子模型,提出了一种对CMOS工艺的门电路进行电磁信息泄漏评估的方法.仿真实验采用TSMC0.18μm工艺,实现了基于单轨逻辑以及SABL双轨逻辑的与非门,并用提出的评估方法对门电路的电磁信息泄漏进行评估.仿真结果表明,该评估方法能够对CMOS门电路的电磁信息泄漏程度进行量化评估,同时还表明了双轨门电路电磁信息泄漏弱于单轨门电路.

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来源
《微电子学与计算机》 |2011年第5期|67-70|共4页
作者
丁国良; 常小龙; 陈家文; 武翠霞;
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作者单位

军械工程学院计算机工程系;

河北工业大学;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类安全保密;
关键词
电磁信息泄漏; 差分电磁分析; 电偶极子模型;

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