硅薄膜晶化机制的光学分析

张丽伟; 周伶俐; 李瑞; 卢景霄; 李红菊; 王红娟; 谷锦华; 杨仕娥

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采用拉曼光谱和分光光度计等测试手段,对快速光热过程(RTP)和常规炉过程(CFP)退火后的硅薄膜结构性能和光学性能进行了研究。用Avrami-Mehl-Johnson和Monte Carlo晶体生长模型和黑体辐射理论分析得出,RTP法退火温度低、速度快的原因,是RTP中不仅存在“光量子效应”,而且还存在“光热相长效应”。由光学带隙的计算得知,RTP退火法可使带隙约为1.7eV的非晶硅薄膜变为带隙约为1.28eV的微晶硅薄膜,说明RTP退火达到了较好的结晶效果。

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来源
《人工晶体学报》 |2007年第2期|344-347|共5页
作者
张丽伟; 周伶俐; 李瑞; 卢景霄; 李红菊; 王红娟; 谷锦华; 杨仕娥;
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作者单位

郑州大学材料物理教育部重点实验室;

新乡师范高等专科学校;

河南工业大学;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
RTP; CFP; 拉曼光谱; 硅薄膜;

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