Si中30度部分位错弯结运动特性的分子模拟

王超营; 孟庆元; 李成祥; 钟康游; 杨志伏

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Si中30度部分位错弯结运动特性的分子模拟

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首先使用分子动力学方法(MD)得出了左弯结(LK)和右弯结(RK)在不同温度和剪应力作用下的速度特性和运动过程.然后利用基于紧束缚势(TB)的nudged elastic band(NEB)方法计算LK和RK的迁移势垒.由计算结果得出,单个LK或RK的势垒很高,运动速度相对较慢;LK中的多弯结对结构和由RK分解产生的右弯结-重构缺陷(RC)能够加速位错运动;其中,RC能促进30°部分位错更快地迁移.

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来源
《计算物理》|2008年第4期|488-492|共5页
作者
王超营; 孟庆元; 李成祥; 钟康游; 杨志伏;
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作者单位

哈尔滨工业大学航天科学与力学系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理模拟方法、物理仿真;杂质和缺陷;
关键词
30°部分位错; 分子动力学; NEB; 弯结; 迁移势垒;

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