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刘旭东; 毕孝国; 唐坚; 蔡云平; 孙旭东;
沈阳工程学院能源与动力学院;
东北大学材料与冶金学院;
焰熔法; 金红石单晶体; 生长室; 温度分布;
机译:大功率激光熔覆TiC / NiCrBSiC复合涂层温度分布和TiC生长动力学的数值模拟
机译:GaAs蒸气压控制的切克劳斯基生长过程中熔体温度和流场的数值模拟
机译:Czochralski硅晶体生长过程中不同氩气流量下硅熔体中氧分布的数值模拟
机译:边界温度条件对AHP - 方法在单晶体生长过程中相变前/相界面,熔体流动和杂质分布的影响
机译:等离子体增强化学气相沉积法在碳纳米管合成过程中气相生长环境的数值模拟和排放诊断。
机译:热熔挤出数值模拟中基于模型的熔体粘度的验证
机译:Czochralski法生长晶体温度分布的模拟
机译:高温法测量晶体生长工厂中熔体的温度或温度分布,包括通过红外辐射源加热熔体区域并中断辐射源对熔体区域的影响
机译:单晶体生长装置的过滤装置,其能够防止单晶体生长装置和包括该过滤装置的单晶体生长装置的内部压力的控制不良。
机译:用于通过直接凝固从导电熔体中生长晶体的装置,其包括包含熔体的坩埚,该坩埚以多坩埚的方式布置在生长室内,并围绕室-假想中心轴平行
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