不同碳硅比稻壳对原位制备多孔Si_3N_4陶瓷的影响

许晓敏; 刘甜甜; 郭伟

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不同碳硅比稻壳对原位制备多孔Si_3N_4陶瓷的影响

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以不同C/Si O2的碳化稻壳为硅源、碳源和成孔剂,添加α-Si3N4和少量烧结助剂,利用碳热还原氮化法原位制备多孔氮化硅陶瓷,研究了不同C/Si O2和烧结温度对多孔陶瓷相组成、显气孔率、抗弯强度和微观结构等性能的影响。结果表明：当选用碳化稻壳C/Si O2（质量比）为0.5和0.7时,在1450-1500℃的试样中有α-Si3N4和β-Si3N4,在1550℃的试样中只有β-Si3N4。C/Si O2为0.7、1450-1550℃下制备出多孔氮化硅陶瓷,其气孔率为52.53%-38.48%,抗弯强度为44.07-83.40 MPa;1550℃制备的多孔β-Si3N4陶瓷中孔隙分布均匀,孔径约为2μm,β-Si3N4呈团簇状生长,长径比约为6-8。

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来源
《人工晶体学报》 |2015年第9期|2484-2489|共6页
作者
许晓敏; 刘甜甜; 郭伟;
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作者单位

盐城工学院;

安徽理工大学;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类陶瓷工业;
关键词
C/SiO2; 烧结温度; 稻壳; 多孔氮化硅陶瓷;

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