1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究

孔云川; 周大勇; 澜清; 刘金龙; 苗振华; 封松林; 牛智川

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用优化的MBE参数生长了 1.3μm发光的InAs/GaAs量子点材料 ,并制成发光二极管 ,对不同温度和有源区长度下样品的电致发光谱进行了细致的研究。观察到两个明显的电致发光峰 ,分别对应于量子点基态和激发态的辐射复合发光。实验表明 ,由于能态填充效应的影响 ,适当增大量子点发光器件有源区长度 ,更有利于获得基态的光发射。这个结果提供了一种控制和调节InAs/GaAs量子点发光二极管和激光器的工作波长的方法。

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来源
《人工晶体学报》 |2002年第6期|551-554|共4页
作者
孔云川; 周大勇; 澜清; 刘金龙; 苗振华; 封松林; 牛智川;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

半导体超晶格国家重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.26;
关键词
微米发光自组织; InAs/GaAs; 量子点; 电致发光; 发光二极管; 能态填充效应;

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