生长条件对AlGaN/GaN HEMT势垒层表面形貌及二维电子气迁移率的影响(英文)

张恒; 曲爽; 王成新; 胡小波; 徐现刚

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使用金属有机化学气相沉积法生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。研究了生长压力和载气组分对AlGaN势垒层及AlGaN高电子迁移率晶体管二维电子气迁移率的影响。原子力显微镜(AFM)光谱和SEM-EDS用于表征外延层的质量。结果表明随着反应室压力从50torr提高到200torr,AlGaN势垒层的表面形貌先变好,随后开始变差。在反应室压力100torr情况下得到最好的表面形貌。同时发现在生长AlGaN势垒层时,同时适当的氢气会提高AlGaN层的质量。在反应室压力100torr、氢气组分59%时得到AlGaN HEMT的最大二维电子气迁移率为1545 cm2/V·s。

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来源
《人工晶体学报》 |2015年第12期|3799-3803|共5页
作者
张恒; 曲爽; 王成新; 胡小波; 徐现刚;
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作者单位

山东大学晶体材料国家重点实验室;

山东浪潮华光光电子股份有限公司;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
氮化镓; 表面形貌; 二维电子气; 迁移率;

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