Ⅲ族氮化物基发光二极管制造工艺

顾星; 叶志镇

首页> 中文期刊> 《微纳电子技术》 >Ⅲ族氮化物基发光二极管制造工艺

Ⅲ族氮化物基发光二极管制造工艺

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Ⅲ族氮化物是近年来半导体发光器件研究领域中的热点。由于InN,GaN,AlN及由其组成的连续变化固溶体合金所构成的半导体微结构材料,具有宽禁带宽电子漂移饱和速度高、介电常数小及导热性能好等特点,使其在制作短波长、高亮度的发光器件方面具有极其光明的前景。本文系统介绍了以氮化镓为代表的Ⅲ族氮化物基发光二极管的制造工艺。从工作原理、材料生长、掺杂和欧姆接触等各方面,介绍了各种氮化物二极管的不同器件结构和制造工艺。在介绍国际上最新制造技术的同时,对其发展前景做出了展望。

著录项

来源
《微纳电子技术》 |2003年第2期|6-9|共4页
作者
顾星; 叶志镇;
展开▼
作者单位

浙江大学硅材料国家重点实验室;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN312.8;TN304.23;
关键词
Ⅲ族氮化物; 发光二极管; 制造工艺; 氮化镓; 薄膜;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 微机电可调硅基三族氮化物光栅 [J] . 李欣 ,施政 ,贺树敏 . 光学精密工程 . 2014,第011期
2. III族氮化物基的肖特基势垒二极管的研制 [J] . 俞慧强 ,张荣 ,周玉刚 . 高技术通讯 . 2003,第007期
3. 基于“半导体制造技术”探讨氮化镓发光二极管倒装芯片结构及制造工艺 [J] . 郝惠莲 ,刘宏波 . 求知导刊 . 2016,第20期
4. 金属基复合材料用于制造高亮度发光二极管 [J] . . 金属功能材料 . 2005,第2期
5. 晶圆键合和激光剥离工艺对GaN基垂直结构发光二极管芯片残余应力的影响∗ [J] . 王宏 ,张烨 ,郭茂峰 . 物理学报 . 2015,第002期
6. Ⅲ族氮化物基稀磁半导体薄膜材料的研究 [C] . 刘超 ,尹春海 ,陶东言 . 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 . 2012
7. 提高III族氮化物深紫外发光二极管中载流子注入的相关途径的研究 [A] . 方梦倩 . 2019

Ⅲ族氮化物基发光二极管制造工艺

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅