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高压BCDMOS集成电路的工艺集成

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摘要

对高压BCD-MOS器件的结构和工艺进行了研究,用器件模拟MEDICI和工艺模拟T-SUPREM软件分别对器件结构和工艺参数进行了设计优化.在工艺兼容的前提下,设计制作了包含NPN、PNP、NMOS、PMOS、高压LDMOS等结构的BCDMOS集成电路样管.测试结果表明,样管性能与模拟结果相符.

著录项

来源
《微电子学与计算机》 |2011年第11期|72-75|共4页
作者
马旭; 邵志标; 姚剑锋; 张国光;
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作者单位

西安交通大学电信学院;

佛山蓝箭电子有限公司;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 BICMOS（双极-MOS混合）集成电路;
关键词
高压BCD集成电路; 横向双扩散MOS器件; 工艺集成; 工艺兼用;

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