保护环对130nm体硅PMOS抗单粒子瞬态特性的影响

曹琛; 王俊峰; 岳红菊; 唐威; 吴龙胜

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保护环对130nm体硅PMOS抗单粒子瞬态特性的影响

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基于TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真软件,通过对带有不同宽度保护环的130nm体硅PMOS器件进行单粒子辐照仿真,研究了保护环结构对深亚微米器件因单粒子辐照所产生的寄生双极效应.仿真结果表明,保护环结构能够大幅缩短器件SET(Single Event Transient)电流的脉冲宽度,有效抑制寄生双极电荷收集,这种抑制作用随着保护环宽度增加而增强,最终趋于稳定.通过对加固器件的面积和抗辐射性能的折衷考虑,改进了保护环结构,并以宽度为0.38μm的保护环为例,证明了改进后的结构能够在保证器件抗单粒子性能及电学特性,同时节省29.4%的面积.

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来源
《微电子学与计算机》 |2012年第12期|149-153|共5页
作者
曹琛; 王俊峰; 岳红菊; 唐威; 吴龙胜;
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作者单位

西安微电子技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
保护环; 深亚微米; 器件模拟; 单粒子辐照; 寄生双极效应;

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