130nm体硅反相器链的单粒子瞬态脉宽特性研究

李赛; 陈睿; 韩建伟

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针对130 nm体硅反相器链,利用脉冲激光和重离子实验研究了目标电路单粒子瞬态(SET)的脉宽特性,并分析了电路被辐射诱发的SET脉宽特性受激光能量、重离子线性能量传递(LET)值、PMOS管栅长尺寸等因素的影响机制.重离子和脉冲激光实验结果类似,均表现为随激光能量、LET值的增加,电路被辐射诱发的SET脉宽逐步增大,且表现出明显的双(多)峰分布趋势,但辐射诱发的SET脉冲个数呈先增加再减少规律.此外,实验结果表明,在不同激光能量、LET值下,PMOS管栅长尺寸影响反相器链SET脉冲的特征不同.当激光能量、LET值较低时,PMOS管栅长尺寸大的电路产生的SET脉宽较大,而当激光能量、LET值较大时,PMOS管栅长尺寸小的电路反而产生更宽的SET脉冲.分析表明,较高激光能量、LET辐照时,寄生双极放大效应被触发可能是导致PMOS管栅长尺寸影响电路SET特征差异的主要原因.

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来源
《北京航空航天大学学报》 |2019年第6期|1137-1144|共8页
作者
李赛; 陈睿; 韩建伟;
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作者单位

中国科学院国家空间科学中心;

北京 100190;

中国科学院大学;

北京 100049;

中国科学院国家空间科学中心;

北京 100190;

中国科学院国家空间科学中心;

北京 100190;

中国科学院大学天文与空间科学学院;

北京 101407;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类环境条件;
关键词
单粒子瞬态(SET); 反相器; CMOS工艺; 重离子; 脉冲激光;

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