反相器

摘要： 超宽禁带半导体金刚石材料在高温、高压电路中具有重要的应用潜力.本研究采用微波等离子体化学气相沉积生长的单晶金刚石衬底制备了原子层沉积(atomic layer deposition, ALD)的Al_(2)O_(3)栅介质的氢终端金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET)器件,并与负载电阻互连,成功制备了金刚石反相器. 4μm栅长的氢终端金刚石器件实现了最大113.4 m A/mm的输出饱和漏电流,器件开关比高达109,并在不同负载电阻条件下均成功测得金刚石反相器的电压反转特性,反相器的最大增益为10.

摘要： 基于一种综合考虑有源区形状尺寸、重离子轰击位置、电路响应反馈、双极放大电荷收集等因素的电路级单粒子效应仿真方法,开展了180 nm工艺下不同驱动能力反相器的单粒子效应敏感性研究。研究结果表明:当驱动能力增至一定倍数,反相器的单粒子敏感截面与版图面积比及瞬态脉冲宽度会明显下降;含有多个子模块的反相器单元中,驱动能力高的子模块较驱动能力低的子模块具有更强的抗单粒子能力;在版图结构设计中共漏极连接方式有利于降低敏感区域面积,采用共漏极连接方式较共源极、独立源漏连接方式更利于降低电路对单粒子效应的敏感性。

摘要： 本文对中波发射机激励显示检测电路的作用、组成及工作原理进行了分析。

摘要： 某型装备在进行遥测信号采集分析时发现测试转阶段断电瞬间,引信执行级“动作(t)”信号异常跳变。该文针对引信出现该异常“动作(t)”信号,进行原理和故障分析,制定修理措施,保障产品修理质量。

摘要： 采用无毒、环保的水溶液法,制备HfGdOX薄膜(HGO).通过XRD、UV、XPS、C-F和J-V等表征手段探索HGO薄膜最佳掺杂浓度和退火温度.以HGO薄膜为栅介质制备的铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO/HGO TFTs)饱和载流子迁移率(μsat)达16.8 cm2 v-1 s-1,开关电流比达1.5×107.基于IGZO/HGO TFTs的电阻负载型反相器电压增益为9.结果表明,水溶液法制备的HGO高K薄膜在高分辨率平板显示器件和超大规模集成逻辑电路中具有潜在的应用前景.

摘要： CMOS反相器作为集成电路最基本的门电路,是电子科学与技术、电子信息工程、集成电路设计等专业学生的必备知识与技能.MOS反相器虚拟仿真实验,以两种MOS反相器设计对比为研究内容,既有线上操作、网络答疑,又有线下指导.采用"贯通式"实验教学和实验过程"虚实结合"的实验教学方法,有助于提高学生的实践能力和创新精神.

摘要： 近年来,以非晶铟镓锌氧(IGZO)薄膜为代表的非晶氧化物半导体受到了研究人员的广泛关注.这是因为它的制成温度低,载流子迁移率高,且大面积均匀性好.然而,由于自身本征的n型单极性半导体特性,基于IGZO的逻辑电路功耗高,在逻辑电路和可穿戴电子领域,该材料不能满足低能耗的设计要求.基于以上难点,将IGZO薄膜晶体管(TFT)和氢化低温多晶硅(LTPS)TFT集成在一起来组成互补型反相器(CMOS).制备过程中IGZO会受到LTPS的过量氢污染而呈现金属化特性,提出了定向去氢的方法,通过快速热退火处理解决了该问题.最后得到了增益高达68,静态电流低至pA,噪声容限极大的互补型反相器.

摘要： 本文采用三维混合模拟研究了经过源极隔离P-hit SET加固技术加固的单个反相器的敏感面积,并且利用HSPICE模拟计算了加固后反相器的延迟和功耗.同时和未经加固的单个CMOS反相器相比较.经过源极隔离加固的反相器敏感面积明显变小,但是会引起性能损失.

摘要： 本文提出了一种对a-Si薄膜晶体管逻辑电路可靠性进行仿真的方法，并对两种不同的反相器电路进行了分析和比较。结果表明，虽然bootstrap反相器初始直流输出特性较好，但是长时间运行后由于电路中薄膜晶体管器件阈值电压的漂移，其输出特性恶化的程度要大于正常形式的反相器电路。

摘要： 基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了一个混合SET/MOS反相器,进而推出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个唯一地址译码器。实现的电路与传统MOS晶体管实现的译码器电路相比,元器件数目得到了减少,电路结构得到简化尺寸减少,且电路的静态功耗降低。SPICE验证了电路设计的正确性。

摘要： 介绍了MPX770数据采集系统770-0410热电偶/压力扫描寻址和信号调节器板卡,如何通过加装外围芯片,对其功能加以扩展,从而完成了对机载四余度电传计算机多路模拟信号的分时采集。

摘要： 介绍了MPX770数据采集系统770-0410热电偶/压力扫描寻址和信号调节器板卡,如何通过加装外围芯片,对其功能加以扩展,从而完成了对机载四余度电传计算机多路模拟信号的分时采集。

摘要： 介绍了MPX770数据采集系统770-0410热电偶/压力扫描寻址和信号调节器板卡,如何通过加装外围芯片,对其功能加以扩展,从而完成了对机载四余度电传计算机多路模拟信号的分时采集。

摘要： 介绍了MPX770数据采集系统770-0410热电偶/压力扫描寻址和信号调节器板卡,如何通过加装外围芯片,对其功能加以扩展,从而完成了对机载四余度电传计算机多路模拟信号的分时采集。

摘要： 介绍了MPX770数据采集系统770-0410热电偶/压力扫描寻址和信号调节器板卡,如何通过加装外围芯片,对其功能加以扩展,从而完成了对机载四余度电传计算机多路模拟信号的分时采集。

摘要： 介绍了MPX770数据采集系统770-0410热电偶/压力扫描寻址和信号调节器板卡,如何通过加装外围芯片,对其功能加以扩展,从而完成了对机载四余度电传计算机多路模拟信号的分时采集。

摘要： 本发明提供了一种反相器、操作反相器的方法以及包括反相器的逻辑电路。所述反相器可包括负载晶体管和驱动晶体管，负载晶体管和驱动晶体管中的至少一个可具有双栅结构。负载晶体管或驱动晶体管的阈值电压可通过双栅结构来调整，从而反相器可以是增强/耗尽(E/D)型反相器。

摘要： 本发明涉及一种反相器及利用该反相器的液晶显示器。该反相器包括：电压变换器，将来自外部装置的直流电压转换为交流电压以驱动至少一个灯，并且包括初级线圈及串联的第一和第二次级线圈；电流传感器，检测流经第一或第二次级线圈的至少一个电流，并且根据检测的至少一个电流产生至少一个传感信号；反馈信号发生器，根据来自电流传感器的至少一个传感信号产生反馈信号；以及控制器，根据反馈信号控制电压变换器，使流经至少一个灯的管电流基本保持恒定。

摘要： 本发明公开了一种CMOS反相器，包括第一选择器、第二选择器，以及分别通过栅极连接CMOS反相器输入端的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的漏极均连接CMOS反相器的输出端，第一、第三晶体管的源极分别对应连接第一选择器的第一输出端和第二输出端，第二、第四晶体管的源极分别对应连接第二选择器的第一输出端和第二输出端；第一选择器和第二选择器均接入相位相反的第一控制信号和第二控制信号，且均连接所述输入端。采用该CMOS反相器可减少晶体管的劣化、提高器件使用寿命。

摘要： 一种反相器的形成方法及反相器，其中，反相器的形成方法包括：提供衬底，衬底包括P型有源区和N型有源区；形成位于P型有源区的第一鳍部和位于N型有源区的第二鳍部,第一鳍部具有第一宽度，第二鳍部具有第二宽度，第一宽度等于第二宽度；在P型有源区形成第一绝缘层，在N型有源区形成第二绝缘层，第二绝缘层的厚度大于等于0且小于第二鳍部的高度，第一绝缘层的厚度小于第一鳍部的高度且大于第二绝缘层的厚度。第一鳍部的第一宽度等于第二鳍部的第二宽度，这样，第一鳍部和第二鳍部所占用的衬底的表面积相同，反相器也就不会占据较多表面积。

摘要： 一种反相器以及包含该反相器的驱动电路和显示装置。本发明涉及一种反相器，该反相器包括：以耗尽模式工作的第一N型氧化物晶体管；以及以正常模式或增强模式工作的第二N型氧化物晶体管，其中，所述第一N型氧化物晶体管的蚀刻阻挡层与所述第一N型氧化物晶体管的漏极之间的重叠区域大于所述第一N型氧化物晶体管的所述蚀刻阻挡层与所述第一N型氧化物晶体管的源极之间的重叠区域。

摘要： 本发明提供了一种反相器、操作反相器的方法以及包括反相器的逻辑电路。所述反相器可包括负载晶体管和驱动晶体管，负载晶体管和驱动晶体管中的至少一个可具有双栅结构。负载晶体管或驱动晶体管的阈值电压可通过双栅结构来调整，从而反相器可以是增强/耗尽(E/D)型反相器。

摘要： 本发明涉及一种反相器及利用该反相器的液晶显示器。该反相器包括：电压变换器，将来自外部装置的直流电压转换为交流电压以驱动至少一个灯，并且包括初级线圈及串联的第一和第二次级线圈；电流传感器，检测流经第一或第二次级线圈的至少一个电流，并且根据检测的至少一个电流产生至少一个传感信号；反馈信号发生器，根据来自电流传感器的至少一个传感信号产生反馈信号；以及控制器，根据反馈信号控制电压变换器，使流经至少一个灯的管电流基本保持恒定。

摘要： 本发明提供一种反相器的制作方法及反相器。所述反相器的制作方法包括如下步骤：制作基底，并在基底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成半导体型碳纳米管薄膜；对半导体型碳纳米管薄膜进行图案化，形成间隔分布的第一有源层和第二有源层；在第一有源层上形成第一阻挡层，在第二有源层上形成第二阻挡层，第一阻挡层为亲电子膜层，第二阻挡层为供电子膜层；形成与第一有源层的两端接触且相互间隔的第一源极和第一漏极以及与第二有源层的两端接触且相互间隔的第二源极和第二漏极，且第一漏极与第二源极相连，通过采用半导体型碳纳米管作为有源层配合亲电子膜层和供电子膜层作为阻挡层，能够简化反相器的制作工艺，降低反相器的制作成本。

摘要： 本发明公开了一种CMOS反相器，包括第一选择器、第二选择器，以及分别通过栅极连接CMOS反相器输入端的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的漏极均连接CMOS反相器的输出端，第一、第三晶体管的源极分别对应连接第一选择器的第一输出端和第二输出端，第二、第四晶体管的源极分别对应连接第二选择器的第一输出端和第二输出端；第一选择器和第二选择器均接入相位相反的第一控制信号和第二控制信号，且均连接所述输入端。采用该CMOS反相器可减少晶体管的劣化、提高器件使用寿命。

摘要： 本实用新型公开了一种双铝铝栅反相器及铝栅反相器，其中双铝铝栅反相器包括一组PMOS管和NMOS管，PMOS管和NMOS管的栅极并接作为反相器的输入端，PMOS管和NMOS管的漏极串接作为反相器的输出端，PMOS管的源极接最高电位，NMOS管的源极接最低电位。PMOS管和NMOS管之间的电连接采用第一铝层布线，输入端和输出端的引出采用第二铝层布线，两铝层之间以绝缘介质层分隔，并通过设置于绝缘介质层中的接触孔实现电连接。本实用新型采用两铝层走线避免了用有源区进行走线，获得更大的自由度，实现所有端口均为铝线连接，最大限度统一器件源漏区的面积，保证器件源漏区的一致性，最大限度地降低节点寄生电容和寄生电阻。除了可以更灵活的布线外，采用双铝铝栅工艺还可以极大提升产品的可靠性和抗闩锁能力。