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微型薄膜磁阻传感元件的磁畴和畴壁状态的转变过程

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用Ｂｉｔｅｒ粉纹技术研究了长×宽为４０μｍ×３００μｍ，厚度为４０ｎｍ的微型ＮｉＦｅ磁阻元件，在难轴方向反磁化过程中曲折状磁畴的转变过程，观察和分析了曲折状畴形成、Ｎｅｅｌ壁合并。

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来源
《上海交通大学学报》 |1996年第7期|95-99|共5页
作者
余晋岳; 宋柏泉; 周勇; 蔡炳初;
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作者单位

信息存储研究中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类磁学;
关键词
磁阻传感元件; 磁畴; 畴壁; 反磁化; 薄膜磁阻;

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