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一种具有磁畴壁可调控锰氧化物薄膜的器件及磁畴壁调控方法

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本发明提出了一种具有磁畴壁可调控的锰氧化物薄膜的器件，包括锰氧化物核心单元和磁畴壁调控单元；锰氧化物核心单元包括三层结构，分别是从上到下依次设置的导电锰氧化物薄膜，绝缘衬底，金属导电底座；磁畴壁调控单元为磁性导电针尖，该磁性导电针尖的磁化方向垂直于上述锰氧化物薄膜表面，并且该针尖与上述锰氧化物膜的顶膜面紧密接触，并可沿该顶膜面移动；另外本发明还提出了一种锰氧化物薄膜的磁畴壁调控方法，该方法基于针尖低电压的交流电场效应来移动磁畴壁的位置；基于上述器件和方法，本发明提出磁存储器及该磁存储器的写入方法。由于采用的电压幅度较小，没有热效应，因而降低了功耗。

著录项

公开/公告号CN103427018B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-01-27

原文格式PDF
申请/专利权人北京师范大学;
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申请/专利号CN201310287989.4
发明设计人熊昌民;王静;张金星;聂家财;
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申请日2013-07-10
分类号
代理机构
代理人
地址 100875 北京市海淀区新街口外大街19号
入库时间 2022-08-23 09:34:25

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-08-25

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L43/08 授权公告日:20160127 终止日期:20160710 申请日:20130710

专利权的终止
2016-01-27

授权

授权
2013-12-25

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L43/08 申请日:20130710

实质审查的生效
2013-12-04

公开

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1. 一种具有磁畴壁可调控锰氧化物薄膜的器件及磁畴壁调控方法 [P] . 中国专利： CN103427018B . 2016.01.27
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