采用磁控溅射Zn-Cu-Sn-Cu金属预置层并后硒化的方法在镀钼玻璃衬底上制备了CZTSe薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱测试仪(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和热探针对所制备CZTSe薄膜的晶相结构、拉曼位移、表面形貌、化学组分和导电类型进行表征分析,分析结果表明:所制备CZTSe薄膜结晶质量好、无二次相、晶粒均匀致密、化学组分是贫铜富锌的,且导电类型为p型,符合高效率太阳电池吸收层的要求。将CZTSe吸收层制备成有效面积为0.35 cm2的Mo/CZTSe/Cd S/i-ZnO/Zn O:Al/Ni-Al电池,其效率为1.17%,开路电压为419 m V,短路电流密度为10.21 m A/cm^2,填充因子为27%。
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