磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe_2薄膜工艺条件的优化

汤会香; 严密; 张辉; 张加友; 孙云; 薛玉明; 杨德仁

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磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe_2薄膜工艺条件的优化

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采用四因素四水平的正交实验法优化了磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2 薄膜的工艺条件 .调节四个较为重要的影响因素 ,即Cu/In比、硒化时间、硒化温度和硒源温度制备得到 16个CuInSe2 样品 .用Hall效应仪对薄膜的电学性能进行了研究 ,并且通过XRD研究了薄膜的结构性能 .得到了制备具有较好电学性能的CuInSe2 薄膜的优化条件为 :Cu/In比 1 133,硒化温度 4 2 0℃ ,硒化时间 2 0min ,硒源温度 2 0 0℃ .在此优化条件下得到的薄膜Hall迁移率可以达到 3 19cm2 /(V·s) ,XRD结果表明薄膜中没有杂相存在 .

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来源
《半导体学报》 |2004年第6期|741-744|共4页
作者
汤会香; 严密; 张辉; 张加友; 孙云; 薛玉明; 杨德仁;
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作者单位

浙江大学硅材料国家重点实验室;

南开大学光电子研究所;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
正交实验; CuInSe2薄膜; 优化制备;

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