首页> 中文期刊> 《人工晶体学报》 >AgGa_(1-x)In_xSe_2单晶的生长研究

AgGa_(1-x)In_xSe_2单晶的生长研究

         

摘要

采用高纯(99.9999%)Ag、Ga、In和Se单质为原料,按化学计量比富Se0.3-0.5%配料,通过机械振荡和温度振荡相结合的方法合成出单相高致密AgGa1-xInxSe2多晶材料。以此为原料采用布里奇曼法生长出外观完整的尺寸为φ15mm×25mm的AgGa1-xInxSe:单晶锭(x=0.2)。沿自然显露面对晶体进行了解理和x射线衍射分析,发现该面是(101)面。同时进行了红外透过率测试,其红外透过率为41%。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号