硅单晶中辐照缺陷对氧的非均匀成核和沉淀的影响

机译：在均匀应力条件下退火的切克劳斯基生长的硅中成核和氧沉淀物的形成

机译：氧沉淀在磷掺杂的切克劳斯基硅中在磷化硅上非均相成核

机译：质子辐照硅光电晶体管中缺陷的非均匀分布分析

机译：Si中氧沉淀的建模和模拟：沉淀点缺陷相互作用和氢的影响

机译：富勒烯碳：在辐照和非辐照条件下生成活性氧的意义和应用

机译：UVA辐照芳基叠氮化物和活性氧物种对人免疫缺陷病毒正交失活的影响（HIV-1）

机译：非均匀离子链中结构缺陷的自发成核

机译：激光辐照铝中的缺陷和alsb沉淀成核

机译：用于半导体器件生产的半导体晶片具有不均匀的晶格缺陷分布或氧沉淀成核中心浓度分布

机译：在用于制备氧沉淀物行为测量方法的单晶行为测量程序中记录用于确定硅氧如何沉淀的步骤以及硅单晶介质中的硅单晶片

机译：用于测量单晶硅中的氧沉淀行为的P方法，用于制造硅单晶晶片的工艺确定方法以及具有用于测量单晶硅中的氧沉淀行为的程序的记录介质