深亚微米PD和FD SOIMOS器件热载流子损伤的研究

颜志英

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研究了深亚微米PD和FDSOIMOS器件遭受热载流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点,提出了相应的物理机制,以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和阈值电压漂移,研究了应力Vg对HCE退化的影响,并分别预测了这两种器件的寿命,提出了10年寿命的0.3μm沟长的PD和FDSOIMOS器件所能承受的最大漏偏压。

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来源
《微电子学》 |2003年第5期|377-379|共3页
作者
颜志英;
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作者单位

浙江工业大学信息学院;

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正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
深亚微米器件; SOI; MOSFET; 热截流予效应; 器件退化; 热截流子效应;

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