预制层衬底加热对Cu_2ZnSnS_4薄膜性能的影响

张俊芝; 代福; 范东华; 郑春来

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预制层衬底加热对Cu_2ZnSnS_4薄膜性能的影响

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本文采用二步法制备Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜,首先通过真空热蒸发制备CuZnSn(CZT)预制层,其衬底加热温度分别为20℃、50℃、75℃和100℃,然后对所制备的CZT预制层在400℃下硫化60 min,从而制备出CZTS薄膜。利用XRD、Raman、SEM、反射谱和透射谱对所制备的CZTS薄膜进行了表征,实验结果表明,预制层衬底加热温度对CZTS薄膜结构与光学特性有很大影响,在衬底加热50℃时制备预制层硫化后所得CZTS薄膜具有高的结晶度、致密均匀的薄膜表面和最佳1.5 e V光学带隙。此外,与衬底未加热制备预制层在500℃和90 min最佳硫化条件下所制备的高纯CZTS薄膜相比,在50℃预制层衬底加热条件下所制备CZTS薄膜具有更好地结晶质量、更低的硫化温度和更短的硫化时间,这种现象表明衬底加热制备金属预制层利于更高品质CZTS薄膜的制备,可有效的降低硫化温度和缩短硫化时间,当前的研究结果为在低温下实现高质量CZTS薄膜的制备提供了一种有效的途径。

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来源
《人工晶体学报》 |2016年第4期|1017-1023|共7页
作者
张俊芝; 代福; 范东华; 郑春来;
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作者单位

五邑大学应用物理与材料学院;

陕西理工学院物理与电信工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料结构及物理性质;
关键词
Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜; 衬底加热; 晶体性能;

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