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钨氮化物薄膜与GaAs接触热力学稳定性

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摘要

从反应热力学计算的角度，对ＷＮｘ／ＧａＡｓ界面可能存在的界面反应，进行了估计和讨论，结果表明，ＷＮｘ薄膜在ＧａＡｓ衬底上是稳定的，这种热力学稳定性是薄膜和衬底界面接触电学性能稳定性的基本保证，实验现象与此结果相一致。

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来源
《固体电子学研究与进展》 |1994年第1期|46-49|共4页
作者
毛大立; 林栋梁; 史常忻;
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作者单位

上海交通大学材料科学系;

上海交通大学微电子学研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
钨氮化物; 薄膜; GaAs; 热力学; 砷化镓;

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