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SiC上Ti/Ni/Au多层金属的欧姆接触特性

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摘要

采用Ti/N i/Au多层金属在高掺杂n型4H-SiC外延层上制作了欧姆接触测试图形,通过传输线法(Transm ission LineMethod,TLM)测量得到的最小比接触电阻为1.4×10-5Ω.cm2,经500℃N2老化后接触电阻大约有一个数量级的增加并保持稳定。

著录项

来源
《功能材料与器件学报》 |2006年第6期|498-500|共3页
作者
杨银堂; 贾护军; 李跃进; 柴常春; 王平;
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作者单位

西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
碳化硅; 欧姆接触; 离子注入; 传输线法;

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