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高明阳; 顾钊源; 杨明超; 谭在超; 韩传余; 刘卫华; 耿莉; 郝跃;
西安交通大学微电子学院;
苏州锴威特半导体股份有限公司;
西安电子科技大学微电子学院;
碳化硅; TSN结构; 特征导通电阻; 特征栅漏电容;
机译:经过优化的1200V SiC沟槽式MOSFET具有高可靠性和高性能
机译:具有低导通电阻的新型1200V类4H-SiC注入和外延沟槽MOSFET的开发
机译:高性能系统的大电流(> 1000A),高温(> 200℃)碳化硅沟槽MOSFET(TMOS)电源模块
机译:一种新型高通道密度沟槽功率MOSFET通过非对称翼单元结构设计
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:一种新的基于肽的纳米粒子超结构设计与合成方法:高序金纳米粒子双螺旋的构建。
机译:一种使用SiC MOSFET的3阶段100kW 1200V双极电桥转换器的实验EMI研究
机译:功率mOsFET中的单事件栅极断裂:一种新的辐射硬度保证方法
机译:用于构造例如碳化硅的碳化硅的方法碳化硅-沟槽-MOSFET,涉及重新执行各向异性等离子体刻蚀步骤,以便从沟槽底部去除钝化层,并在衬底中形成扩大的沟槽区域
机译:MOSFET碳化硅沟槽栅极MOSFET
机译:具有厚沟槽底部沟槽门型碳化硅MOSFET的制造方法
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