4英寸氧化镓单晶生长与性能

穆文祥; 贾志泰; 陶绪堂

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4英寸氧化镓单晶生长与性能

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本文使用导模法(EFG)制备了4英寸氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶,并对晶体物相、结晶质量、缺陷、光学及电学特性进行了研究。晶体不同方向劳厄(Laue)衍射斑点清晰一致,符合β-Ga_(2)O_(3)衍射特征。晶体(400)面摇摆曲线半峰全宽(FWHM)为57.57″,通过化学腐蚀获得其腐蚀坑位错密度为1.06×10^(4) cm^(-2)。晶体在紫外截止边为262.1 nm,对应光学带隙为4.67 eV。通过C-V测试分析获得非故意掺杂晶体中的电子浓度为7.77×10^(16) cm^(-3)。

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来源
《人工晶体学报》 |2022年第9期|1749-1753|共5页
作者
穆文祥; 贾志泰; 陶绪堂;
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作者单位

山东大学晶体材料国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体生长工艺;
关键词
氧化镓; 宽禁带半导体; 缺陷; 晶体生长; 导模法; 单晶;

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