GaN晶片芬顿反应化学机械抛光液组分优化

严杰文; 路家斌; 黄银黎; 潘继生; 阎秋生

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GaN晶片芬顿反应化学机械抛光液组分优化

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摘要

针对芬顿反应CMP抛光GaN晶片的抛光液,开展以表面质量为评价指标的参数优化试验,找出抛光液组分的最优配比。结果表明:当H_(2)O_(2)质量分数为7.5%时,GaN晶片加工表面效果最优,表面粗糙度达到3.2 nm;催化剂能有效调节芬顿反应的速率,对比液体催化剂FeSO4溶液和固体催化剂Fe_(3)O_(4)粉末,固体催化剂Fe_(3)O_(4)粉末能在溶液中持续电离Fe^(2+),使芬顿反应能在整个加工过程中持续作用。当Fe_(3)O_(4)粉末粒径为20 nm时,抛光效果最佳,表面粗糙度达到3.0 nm;对比氧化铝、氧化铈、硅溶胶磨料,硅溶胶磨料抛光的表面效果最佳,晶片表面粗糙度达到3.3 nm;当硅溶胶磨料质量分数为20.0%,磨料粒径为60 nm时,抛光后晶片表面粗糙度达到1.5 nm。抛光液组分优化后,采用最优的抛光液组分参数抛光GaN晶片,其能获得表面粗糙度为0.9 nm的光滑表面。

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来源
《金刚石与磨料磨具工程》 |2022年第5期|610-616|共7页
作者
严杰文; 路家斌; 黄银黎; 潘继生; 阎秋生;
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作者单位

广东工业大学机电学院;

广州计量检测技术研究院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类磨削加工与磨床;磨料;
关键词
GaN晶片; 芬顿反应; CMP抛光; 催化剂;

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