基于gm/ID参数的运算放大器设计

陈德斌; 常昌远

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基于gm/ID参数的运算放大器设计

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介绍一种基于gm/ID参数特性的模拟电路优化设计方法,并以CMOS密勒补偿运算放大器的设计为例具体阐述该方法的基本设计步骤.该方法以统一的gm/ID与ID/(W/L)的关系曲线为基本设计出发点,综合电路的其它设计要求,而提出的一种优化性能指标的设计思路.对所设计的运算放大器模拟仿真验证了这种方法的有效性.

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来源
《电脑知识与技术》 |2007年第16期|1020-1022|共3页
作者
陈德斌; 常昌远;
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作者单位

东南大学;

集成电路学院;

江苏;

南京;

210096;

东南大学;

集成电路学院;

江苏;

南京;

210096;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
运算放大器; CMOS; gm/ID;

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