二维量子力学效应对阈值电压的影响

张婷; 代月花; 高珊

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二维量子力学效应对阈值电压的影响

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在亚50nm的MOSFET中,沿沟道方向的量子力学效应严重影响了器件性能.基于WKB理论,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响,引入了其时阈值电压的修正.继而对沟道方向的子带作了抛物线近似并进行了数值拟合,从而建立了一个考虑量子力学效应的全解析模型.由此模型可以得到二维量子力学修正和沟道长度以及其它器件参数的关系.与数值模拟结构比较可以得出如下结论:在亚50nm的MOSFET中,量子力学效应引入了阈值电压的修正是不可忽略的.且此全解析模型精度令人满意.

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来源
《电脑知识与技术》 |2007年第20期|494-495|共2页
作者
张婷; 代月花; 高珊;
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作者单位

安徽大学电子科学与技术学院;

安徽;

合肥;

230039;

安徽大学电子科学与技术学院;

安徽;

合肥;

230039;

安徽大学电子科学与技术学院;

安徽;

合肥;

230039;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类结构;
关键词
二维量子力学效应; WKB理论; 全解析模型; 亚50nmMOSFET;

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