吉利的出身之困

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机译：在由至少第一和第二基本半导体接触形成的第一行半导体器件中形成的全面霍夫多普法克半吉利德型凝胶，该第一行和第二基极接触与第一吉利德型混合，并且导电率高于半吉利德型，并且相对较小的发射体与第一吉利德型相对，第二黄变相反当在第一个和第二个基础接触之间连接一个插接的sbron时，在第一个和第二个基础接触之间就形成了一个绝热负的weerstandskarakteristiek，显示了这种半geleideriderrichting。

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