具有低能耗的场截止型IGBT研究

王思亮; 胡强; 张世勇; 樱井建弥

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具有低能耗的场截止型IGBT研究

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开发出场截止型IGBT并深入研究了场截止型IGBT的核心技术和关键工艺.相比非穿通型IGBT,通过场截止层的形成,芯片厚度降至105 μm,器件导通压降低于2V,关断时间小于250 ns,电学性能得到了显著提高.IGBT应用于电磁炉,在不同功率下的管壳温升为25℃～35℃,远低于非穿通型IGBT,达到了更低的能量损耗.

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来源
《东方电气评论》 |2014年第3期|6-11|共6页
作者
王思亮; 胡强; 张世勇; 樱井建弥;
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作者单位

东方电气集团中央研究院,成都611731;

东方电气集团中央研究院,成都611731;

东方电气集团中央研究院,成都611731;

东方电气江苏华创光电科技有限公司,江苏宜兴214213;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类功率晶体管;
关键词
功率半导体器件; IGBT; 场截止; 优化平衡;

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