功率半导体器件
功率半导体器件的相关文献在1982年到2023年内共计1879篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、电工技术、工业经济
等领域,其中期刊论文330篇、会议论文27篇、专利文献443709篇;相关期刊132种,包括电工技术学报、电源技术、变频器世界等;
相关会议22种,包括第十八届中国科协年会、全国抗恶劣环境计算机第二十六届学术年会 、第十三届全国电技术节能学术年会等;功率半导体器件的相关文献由2515位作者贡献,包括张波、乔明、朱袁正等。
功率半导体器件—发文量
专利文献>
论文:443709篇
占比:99.92%
总计:444066篇
功率半导体器件
-研究学者
- 张波
- 乔明
- 朱袁正
- 周锦程
- 朱阳军
- 李泽宏
- 史波
- 张金平
- 叶鹏
- 赵志斌
- 吴凯
- 张邵华
- 顾悦吉
- 马柯
- 戴小平
- 杨彦涛
- 刘国友
- 李肇基
- 章文通
- 罗海辉
- H-J.舒尔策
- 杨卓
- 杨飞
- 吴文杰
- 孙伟锋
- 敖利波
- 曾丹
- 闻永祥
- 鲁军
- H-J·舒尔策
- 任敏
- 刘斯扬
- 李述洲
- 刘竞秀
- 周锌
- 白玉明
- M·拉希莫
- 不公告发明人
- 单建安
- 张朋
- 时龙兴
- 李诚瞻
- 李金元
- 王亚飞
- 肖婷
- A·毛德
- 余占清
- 刘慧勇
- 刘琛
- 叶俊
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摘要:
2022年2月18日,记者从湖南大学获悉,该校电气与信息工程学院杨鑫教授课题组,与华中科技大学祝雪丰教授、同济大学祝捷教授合作,利用第三代功率半导体器件——碳化硅MOSFET,首次在电子领域构建了暂态宇称时间对称(TRANSIE-NT PARITY-TIME SYMMETRY)系统。
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摘要:
5月12日上午,位于常州高新区龙虎塘街道的宏微科技车规级功率半导体分立器件生产研发项目开工奠基。项目建成后,将形成年产新型功率半导体器件840万块的生产能力。江苏宏微科技股份有限公司专业从事新型电力半导体器件的设计、研发、制造及销售。其自主研发生产的IGBT、VDMOS、FRD等新型电力半导体器件及模块产品系列填补国内空白,广泛应用于电动汽车、新能源、工业控制、家用电器、医疗器械、照明等领域。产品绝大部分替代国外进口,个别产品在国内市场份额已经占到50%以上。产品销售网络已覆盖全国,同时进入亚洲、欧洲、北美等地区,共拥有500多家客户。
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张西应;
曾文彬;
操国宏;
彭军华;
孙文伟;
刘雅岚
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摘要:
大功率半导体器件是直流输电、牵引传动与工业变流等系统的核心部件,如何有效地评估器件工作状态并准确预测其剩余使用寿命,是提升系统工作可靠性的关键难题。该文通过对比不同的加速老化试验方法和寿命预测模型,采用现场工况与仿真相结合的方法,设计了一套热循环负载加速老化试验方案。根据试验结果,该文选取科菲-曼森模型对数据进行分析处理,得到优化的寿命预测定量模型。最后,结合应用现场实际疲劳失效数据,对寿命预测模型进行了校验和改进,使该模型更贴近高功率系统的应用工况,提高了寿命预测模型的准确性和可靠性。
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摘要:
在双碳和国产化政策趋势推动下,随着下游新能源、电动汽车、工控等领域蓬勃发展,国产IGBT、FRED功率半导体器件的需求愈加旺盛。近日,宏微科技发布业绩快报,报告期内,公司实现营业收入5.23亿元,较上年同期增长57.76%;实现归母净利润6382.88万元,较上年同期增长139.62%。在双碳和国产替代政策趋势推动下,公司下游应用如新能源、电动汽车、工控等领域蓬勃发展,对国产IGBT、FRED功率半导体器件需求旺盛。
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丁文双
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摘要:
高效率是电机控制系统设计永恒的追求目标之一。随着碳中和、碳达峰的要求逐步落实,高效电机的渗透率有望加速提升,新的半导体元器件例如碳化硅、氮化镓等的推广也会加速。这会带来全新的电机和电源的拓扑及控制算法设计。电机控制系统将继续朝着高集成、高性能、高可靠性方向发展,功率半导体器件朝着高开关频率、小体积、低损耗的方向发展。
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摘要:
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布,推出新一代Si-IGBT(硅基绝缘栅双极晶体管)器件--该产品以更小的尺寸带来更低的功率损耗。针对下一代电动汽车(EVs)逆变器应用,AE5代IGBT产品将于2023年上半年在瑞萨位于日本那珂工厂的200mm和300mm晶圆线上开始批量生产。此外,瑞萨将从2024年上半年开始在其位于日本甲府的新功率半导体器件300mm晶圆厂加大生产,以满足市场对功率半导体产品日益增长的需求。
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杜月娇
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摘要:
随着电力电子技术在电力系统、电气化交通等不同行业中的广泛应用,由电力电子装置中功率半导体器件的高频开关动作产生的电磁干扰问题日益突出,已成为制约行业发展的关键问题。为此,无数科研人员投身其中,潜心攻坚。来自北京交通大学电气工程学院的教授李虹就是其中一员。多年来,她脚踏实地、创新科研,面向行业重大需求,在电磁干扰与电磁兼容领域做出了一系列创新性研究。
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摘要:
据重庆日报报道,重庆万国半导体科技有限公司(以下简称“重庆万国”)已成功造出西南地区首颗独立开发、设计并自行完成晶圆制造与封装测试的IGBT元件。目前该IGBT元件通过用户试用,预计今年年内实现量产。IGBT元件是绝缘栅双极型晶体管的英文名缩写,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管,组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
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高子兴;
赵昭;
李洁;
沙长涛;
高峰
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摘要:
为满足功率半导体器件参数测量中对脉冲高压源输出脉冲幅值和宽度的需求,基于Marx发生器原理设计了一脉冲幅值和宽度连续可调的脉冲高压源,用以对功率半导体器件参数的快速测量。该脉冲高压源通过改进Marx发生器基本结构,采用双电源充电模式,减小了脉冲发生器的充电时间;采用同步放电电路,提高了脉冲电压的输出精度;在此基础上,采用快恢复二极管隔离每级Marx电路,降低了充电损耗。通过控制双电源充电电压和放电回路中固态开关导通时间,实现了输出脉冲电压幅值和宽度连续可调。实验结果表明,该脉冲高压源在脉冲幅值0~8000 V和脉冲宽度200~1000μs之间连续可调,上升时间为35 ns,可满足功率半导体器件参数快速测量的需求。
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SONG Yubo;
宋宇博;
MA Ke;
马柯
- 《第十一届中国高校电力电子与电力传动学术年会》
| 2017年
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摘要:
功率半导体器件在电力电子系统实际应用中,除受到电压电流等电气应力外,还会受到一系列热应力的影响,这些电、热应力直接决定了变流器的效率和可靠性,因而对其进行准确的分析和评估十分必要.在典型并网DC-AC变流器中,对功率半导体器件电热应力进行分析时,通常考虑的是理想正弦基波负载电流的情况,而实际流经半导体器件的电流中含有较大的纹波电流成分,在应力分析时往往被忽略,从而对功率半导体器件的应力分析结果带来影响.本文以典型的三相并网DC-AC变流器中的IGBT功率器件为研究对象,采用PLECS进行仿真,对负载电流的纹波电流大小进行了建模和分析,并讨论了不同电流纹波对功率半导体器件所受电流应力、功率损耗以及所受热应力的影响.结论表明,电流纹波的存在会使得变流器负载电流过零时的波形发生畸变,在与理想正弦电流负载情况下的分析结果相比,功率半导体器件的开关功耗在考虑电流纹波时会明显增加,进而增加器件的总功耗及效率;同时考虑纹波电流后也会使器件的温度比理想情况有所升高.
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杨天鹏;
寇金桥;
杨帆
- 《全国抗恶劣环境计算机第二十六届学术年会》
| 2016年
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摘要:
采用集总电荷的方法,分别对功率半导体器件中的二极管和MOSFET进行表征,描述二极管的正反向恢复特性,应用载流子输运方程、连续性方程和泊松方程确定MOSFET内部P型体区和N-型漂移区电荷的变化规律,进而完成二极管和MOSFET模型的建立.以boost电路为例,应用Saber软件对模型进行验证,其结果表明所建功率半导体器件模型十分精确,可用于电磁干扰的研究.
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Liu Chong;
刘冲;
Li Jie;
李洁;
Xu Yingchun;
徐迎春
- 《第十八届中国科协年会》
| 2016年
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摘要:
功率半导体器件应用广泛,其直流参数测试系统有很大的需求.本文突破电容充放电产生脉冲大电流关键技术,成功开发了高压电压源、脉冲大电流源、可测试大电流的恒压源、小电流源、小电压源、数字电压表等直流参数测试系统重要组成部分,编制了功率半导体器件直流参数测量软件,在此基础上,研制成功功率半导体器件直流参数测试系统.实验证明,能满足绝大多数功率半导体器件的测试,测试速度较快,满足功率半导体器件器件直流参数生产和研发单位的需要.
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刘冲;
李洁;
曹玉峰;
张珊;
阚劲松
- 《2018年中国计量测试学会电子、通信、自动计量测控技术专业委员会年会暨学术交流会》
| 2018年
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摘要:
大功率智能图示仪是用来测量功率半导体器件直流及I/V参数的测试设备,是半导体器件质量控制的必备设备.脉冲测试法为该类设备内部参数测量原理,目前校准难点主要体现在内部集电极电流偏转系数、阶梯电流源、阶梯电压源的校准缺乏整体校准方案.本文通过研究基于脉冲分流器和脉冲电压测量单元的脉冲数据采集法,研制主控模块、多路选择矩阵模块、集电极电流校准模块、阶梯电流校准模块、阶梯电压校准模块、采样保持电路模块、程控放大电路模块、数据处理电路A/D模块、程控基准电源模块、定时模块、触发模块、USB通信模块等模块,推出了一种基于脉冲数据采集法的功率图示仪校准仪,填补了国内功率图示仪校准仪的空白,并通过对关键参数测量不确定度的评定,证明其能够满足大功率智能图示仪校准需要.
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