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功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法

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摘要

说明了一种功率半导体器件（1），具有‑布置在壳体（4）内的功率半导体元件（2），其中散热器（6）暴露在所述壳体（4）的第一表面（5）上；‑具有第一主表面（12）和第二主表面（14）的布线衬底（10），所述布线衬底容纳具有所述功率半导体元件（2）的壳体（4），其中具有增加的导热性的冷却区域（16）布置在所述第二主表面（14）上；其中所述壳体（4）布置在所述布线衬底（10）上，使得所述散热器（6）经由焊料层（2）连接到所述冷却区域（16），其中布置在所述散热器（6）与所述冷却区域（16）之间的一定数量的间隔保持器（28）嵌入在所述焊料层（20）中。还说明了一种用于制造功率半导体器件的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN114450783A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 纬湃科技有限责任公司;

    申请/专利号CN202080070875.2

  • 发明设计人 C·奎斯特-马特;D·巴贡;D·沃尔夫;

    申请日2020-10-06

  • 分类号H01L23/367;H01L23/495;H01L21/50;H05K1/02;H05K3/30;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 德国汉诺威

  • 入库时间 2023-06-19 15:10:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-06

    公开

    国际专利申请公布

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