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竖向功率半导体器件、半导体晶片或裸管芯布置、载体和制造竖向功率半导体器件的方法

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公开了竖向功率半导体器件、半导体晶片或裸管芯布置、载体和制造竖向功率半导体器件的方法。提出了一种竖向功率半导体器件(100)。竖向功率半导体器件(100)包括具有第一主表面(104)和与第一主表面(104)相对的第二主表面(106)的半导体本体(102)。半导体本体(102)的在第一主表面(104)和第二主表面(106)之间的厚度(d)在从40μm至200μm的范围内。有源器件元件(108)在半导体本体(102)中被形成在第一主表面(104)处。边缘终止元件(110)至少部分地围绕在第一主表面(104)处的有源器件元件(108)。扩散区(112)从第二主表面(106)延伸到半导体本体(102)中。扩散区(112)的掺杂浓度轮廓(c)在从1μm到5μm的范围内的竖向距离(Δy)上从在第二主表面(106)处的峰值浓度Ns减小到浓度Ns/e，e是欧拉数。

著录项

公开/公告号CN112885888A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-01

原文格式PDF
申请/专利权人英飞凌科技奥地利有限公司;
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申请/专利号CN202011361668.0
发明设计人 A·布罗克迈尔;F·J·桑托斯罗德里格斯;H-J·舒尔策;
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申请日2020-11-27
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/739(20060101);H01L29/861(20060101);H01L21/331(20060101);H01L21/329(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人刘书航;周学斌
地址奥地利菲拉赫西门子大街2号
入库时间 2023-06-19 11:11:32

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-11-01

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 专利申请号:2020113616680 申请日:20201127

实质审查的生效

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