晶闸管

摘要： 针对传统变频器预充电电路需要光耦隔离和额外电路参与,以及软件算法复杂、调试不便等弊端,设计出了一种具有恒流自适应功能的预充电电路。该电路采用类似Buck电路的结构,自适应维持闭环稳定,为晶闸管触发提供相对稳定的供电,可以实现每相晶闸管交错开通而不再依赖软件参与,同时不需要光耦隔离,也不必关注开关电源优先工作的时序问题。PSIM仿真与实物平台测试结果吻合。测试波形表明,该电路方案切实可行,调试方便,具有一定的参考价值。

摘要： 智能均流控制可以极大提高均流特性,但可能会影响励磁系统调节的响应速度、换向时增加晶闸管的电流冲击强度及掩盖晶闸管元件的实际故障等。本文以TMS320F28335控制器为核心实现励磁系统的智能均流控制,对控制模型的参数进行动态调节,同时采用交流采样和CAN通讯提高了抗干扰能力。最终通过试验验证,该智能均流控制提高系统均流特性的同时又避免了不利影响。

摘要： 为研究不同因素对其电流扩展速度的影响,根据晶闸管的结构特点和工作原理,建立晶闸管器件模型及脉冲成形网络等效电路模型并进行了仿真模拟。数值仿真结果表明,当正向阻断电压从3000 V增加至5000 V时,扩展速度可增加24.6%;当基区宽度从500μm增加至900μm时,扩展速度降低了31.7%;当载流子寿命从1μs增加至10μs时,扩展速度增加了56.9%,而当温度从300 K增加至330 K时,扩展速度仅增加了0.3%,可以看到温度对扩展速度的影响较小。研究结果有助于选择合适参数以保证开通所需的扩展速度,对改进晶闸管器件设计、提高晶闸管工作性能都具有应用价值。

摘要： 晶闸管的触发特性参数是反映其性能的重要参数。现有的仪器只能测量晶闸管在第1、2、3象限的触发特性参数,难以全面表征晶闸管在4个象限的触发性能。研制的装置能够测量晶闸管分别在4个象限的触发特性参数。其中,利用选择开关组合测试标准要求的电压、电流并加载到被测晶闸管上,通过CPU调控门极电压、阳极电流;使用模/数转换器将模拟的触发特性参数信号转换成数字信号并送给CPU,由CPU计算并驱动LCD数字化显示;采用光电耦合器监测晶闸管的触发状态。利用本装置测试了3种晶闸管分别在4个象限的触发特性参数,结果符合晶闸管的导电规律,证明装置可行,适应高校教学以及部分科研单位、企业的测试需求。

摘要： 为解决6英寸晶闸管压接面压力分布均匀性问题,针对6英寸晶闸管硅堆的压装机构进行了研究,设计了一种采用球面定位的球头式压装机构,并仿真校核了球头式压装机构的机械强度。开展了6英寸晶闸管硅堆压接力压力均匀性试验,试验结果表明,在正常和模拟工况下,球头式压装机构能明显改善晶闸管压接面压力分布均匀性。

摘要： 随着直流输配电技术的不断发展,直流故障保护问题日渐凸显,断路器作为故障保护的一种重要装置,逐渐向损耗低、动作快方向发展。Z源固态直流断路器具有结构简单、响应迅速、分断无弧等特点,为直流保护提供了新方案。文中提出了一种新型双向Z源固态直流断路器,在分析其工作原理的基础上,给出了其设计方法,并对比了现有典型Z源直流断路器的保护特性。新型拓扑采用电容取代传统结构中二极管的反向阻断作用,降低断路器通态损耗,并通过反并联晶闸管实现能量双向流动,无须外加检测与控制电路,通过阻抗网络参数设计便可实现短路故障的迅速自动响应。最后,基于仿真和原理样机实验对所设计的固态直流断路器的有效性进行了验证。

摘要： 针对阻容保护回路运行中电容被击穿、电阻烧毁事件进行事故分析,讨论阻容回路选型设计是否合理,分析烧毁原因、电容选型及验证改进后效果。

摘要： 基于自有知识产权的10多项矿热炉节能国家专利技术,由陕西高科电力电子有限责任公司研制成功的节能型矿热炉直流供电系统,与内蒙古某铁合金公司共同攻关,对13.5 MVA交流矿热炉进行直流化改造,顺利于2022年3月中旬投入工业化运行,该矿热炉原来采用三电极交流供电,改造后采用四电极直流供电,全数字化在线热备用控制和调节,投入运行后进行了硅铁、硅钡、硅钙等铁合金产品的熔炼.

摘要： 传统的双电源固态开关是以主备用电源同步为前提条件,无法保障两路独立电源供电。本文研究了一种基于dq变换和二阶广义积分器锁相技术的双电源固态切换开关切换控制方法,可实现主电源和备用电源非同步情况下快速和无冲击切换,可保证一类负荷的可靠稳定运行。通过二阶广义积分器提取非理想电网的基波正序分量,通过锁相和锁频得到精确的电网相位和频率信息,具有更好的电网适应性。根据入口电压和出口电流设计切换逻辑并计算切换角度,切换响应迅速且电压电流冲击较小。最后,搭建了380 V/5 kVA工程样机,验证了上述理论分析的正确性和方案的可行性。

摘要： 软启动器作为大型电动机常采用的启停控制装置之一,越来越多地应用到海洋钻井生产过程中。该文从电动机启停特点、软启动器控制方式、接线,并结合海洋钻井平台吊机的设计思路及应用来分析,结合现场相关故障维修实例对软启动器升级改造方案进行了研究。

摘要： 就像二极管、三极管是电子技术中最基本的器件一样,晶闸管是电力电子技术中最基本的器件.因此,掌握晶闸管的特性,是学习电力电子技术的基础.而且,晶闸管应用广泛,只有掌握其基本知识及特性,才能正确地利用它来制作或维修相关的电子设备.本文结合实验现象,验证、解析晶闸管的关断特性,以求学习者掌握相关知识,从而获得使用晶闸管的应用技能.同时,为电子爱好者在晶闸管应用于弱电,实现自动控制的实际使用方而提供实用的参考素材.

摘要： 本文简单介绍了励磁系统晶闸管整流装置及其工作原理,对励磁系统晶闸管工作过程中可能存在的过电压进行了分析,针对引起晶闸管及其整流装置过电压产生的主要原因,详细探讨了常用的过电压保护配置方案,并提出了过电压的测试方法.

摘要： 为了验证国际热核聚变实验堆(ITER)极向场电源系统中的晶闸管在最恶劣中子环境下的工作特性,本文首次报道了高能中子辐照对晶闸管的影响.选取与ITER同型号的两个KPD5000-52型晶闸管在14.9MeV中子下辐照达28小时.将辐照前后晶闸管的重复峰值参数、门极触发数值、维持电流等关键参数进行对比.分别在高结温和低结温下测量了辐照前后通态伏安特性.实验结果表明,辐照后晶闸管关键电气参数发生较大改变,晶闸管不能正常工作.并基于辐照损伤理论,分析了造成这些现象的原因.

摘要： 目前,晶闸管三相桥式整流电路广泛地应用在各行各业,但它的应用也给电网带来了大量的无功功率,降低了系统的功率因数.以晶闸管三相桥式整流电路为例,定性、定量地分析无功功率的产生机理,并以某航空试验台电拖系统实例分析计算晶闸管三相桥式整流电路产生的无功功率,最后根据无功功率产生的机理不同,提出不同的治理方法,从而提高系统的功率因数.

摘要： 从器件工艺理论上分析门极部分对测试晶闸管关断时间影响的原因,搭建相关测试电路来进行对比试验.为晶闸管等器件的实际应用提供了参考,对正常测试晶闸管电路换向关断时间有借鉴作用.

摘要： 介绍国际上SiC MOSFETs、SiC IGBT和SiC晶闸管器件的研究和产业化最新进展,将重点介绍本实验室在SiC开关器件方面的研究成果,讨论相关器件的技术难点、面临的问题以及应用前景.

摘要： 本文首先介绍了电容型、电感型大电流长脉冲功率源及其应用，其次介绍了脉冲晶闸管及二极管在电容型大电流长脉冲条件下特性研究，以及晶闸管在电感型大电流长脉冲条件下特性研究，最后分析了GTO或IGCT在电感型大电流长脉冲条件下特性研究。

摘要： 本文列举了某电站静止变频器的典型结构及其设备参数.通过说明静止变频器的结构组成和基本工作原理.简要概述了静止变频器的起动控制流程,阐述了转子位置测量、强迫换向、刀闸转换、自然换向、同期并网五个运行阶段闭环控制机理和特征,通过分析静止变频器晶闸管故障的原因提出应对措施和实际应用中的典型保护配置方案.

摘要： 可控串联补偿器TCSC(Thyristor ControlledSeries Capacitor)目前主要应用于输电网，而在中压配电网中的应用仍处于研究阶段，主要是由于中压配电网出现电压问题时，通常采用并联无功补偿，串联电容补偿应用得还是很少。利用TCSC可以平滑地调节阻抗,实现对不同线路参数或不同负荷的线路进行电压调节,稳定负荷侧电压.晶闸管导通时,采用新的方法,将其当成线性定常系统,通过现代控制理论结论求解微分方程,进而得到TCSC等效基波阻抗;由于晶闸管的导通压降会影响TCSC的等效基波容抗,因而采用串接受控电压源来消除影响;最后,通过TCSC对辐射线路电压调节的仿真分析,说明晶闸管的导通压降会影响TCSC的调压效果,并且串接受控电压源可以消除晶闸管导通压降对调压的影响.

摘要： 作为一种常用的开关器件,晶闸管的导通特性备受关注,尤其是随着晶闸管器件在电磁脉冲作用下意外导通事故的频发,其在电磁环境中的触发导通规律有待进一步深入研究.本文选择静电放电作为典型电磁脉冲源,对比分析了小电流晶闸管的静电放电敏感度特性,确定了静电放电作用下晶闸管的失效模式为门极电压作用失效、阴阳极断路,采用理论和试验相结合的方法得出了晶闸管意外导通的开启时间仅与阳极电压和器件本身特性有关的结论,并进一步通过方波电磁脉冲注入的对比试验,揭示了静电放电作用下晶闸管因dV/dt触发导通的开启时间只与静电放电注入电压有关,注入电压越高,开启时间越短.

摘要： 本申请提供了一种晶闸管元件、晶闸管元件装配结构及软启动器，该晶闸管元件包括门极组件和芯片封装组件，芯片封装组件开设有至少部分固定接合门极组件的盲孔，盲孔的轴线垂直于芯片封装组件中的芯片，门极组件包括：门极针，其从门极组件的内部延伸出并抵靠芯片的芯片门极；接线片，其伸出门极组件的顶部以用于连接门极针和引线。晶闸管元件装配结构包括第一散热器、第二散热器以及夹在其中的晶闸管元件。第一散热器和第二散热器通过绝缘紧固件连接。绝缘紧固件的碟簧组套设在绝缘套管的外部且位于第一散热器和绝缘套管之间。利用该晶闸管元件，能够避免焊接且能够降低装配难度，有利于提高软启动器的使用寿命和降低其成本。

摘要： 本公开提供一种门极换流晶闸管的元胞结构、制备方法及门极换流晶闸管，所述元胞结构包括在元胞结构两侧，于所述衬底表面向下设置有侧部沟槽，以在所述衬底表面于所述元胞结构中心位置形成凸台；位于所述侧部沟槽和所述凸台下方的第二导电类型短基区；其中，所述短基区的底部于与所述凸台对应的位置处有凸起；位于所述短基区上方的第二导电类型第一基区；位于所述短基区下方的第二导电类型第二基区；其中，所述第二基区的底部于与所述凸台对应的位置处有凸起；位于所述第一基区表面内的第一导电类型发射区；其中，所述短基区的掺杂浓度高于所述第一基区和所述第二基区。可提高驱动控制电压值，从而提高换流速度、增大GCT芯片的关断能力。

摘要： 本发明涉及发光晶闸管、发光晶闸管阵列、曝光头和图像形成设备。发光晶闸管包括具有第一到第四半导体层的堆叠结构，并且第三半导体层从半导体基板侧起依次至少包含与第二半导体层接触的第五半导体层和第六半导体层。第六半导体层是形成堆叠结构的所有层中的具有最小带隙的层，并且，第五半导体层与第六半导体层之间的带隙的差值△Eg大于或等于0.05eV且小于或等于0.15eV。

摘要： 本发明公开了一种水冷散热一体化的晶闸管及晶闸管串联模块，属于晶闸管散热技术领域。晶闸管包括：硅片、两个钼片、两个铜基座、门级触发线及散热组件；所述硅片夹在所述两个钼片中间，所述两个钼片固定在所述两个铜基座之间，所述门级触发线与硅片连接，并穿过其中一个铜基座引出，所述散热组件设置在另一个铜基座内。串联模块包括外部框架以及设置在外部框架内的多个上述所述的晶闸管，多个所述的晶闸管之间串联连接。本发明减小了晶闸管的体积，并提升了散热效率，同时能够减小多个晶闸管单元串联模块的体积，提升了脉冲电源的储能密度及散热效率，还减少了散热器的设计和成本。

摘要： 本发明公开了晶闸管投切器中的晶闸管故障预测方法，属于电力电子技术领域，包括以下步骤：S1：收集晶闸管特征参数数据；S2：对收集的晶闸管特征参数数据进行分类；S3：定义分类后的晶闸管特征参数数据集；S4：通过定义的晶闸管特征参数数据集构建晶闸管故障预测模型；S5：将构建的晶闸管故障预测模型导入晶闸管投切器中，根据晶闸管投切器实时监测的晶闸管特征参数实时预测晶闸管是否存在潜在故障风险，若无，持续运行，若有，停机并故障报警；本发明能够快速预测出晶闸管状态以便及时进行处理，预测精准度高。

摘要： 本发明公开了一种MOS控制晶闸管的制造方法及MOS控制晶闸管，其中制造方法具体包括如下步骤：S100：采用离子注入工艺在衬底上形成第一JFET区域；S200：在衬底上生长EPI层；S300：采用离子注入工艺在EPI层上形成第二JFET区域；S400：采用扩散工艺使第二JFET区域与第一JFET区域连通；S500：进行栅极、重掺杂N型区、重掺杂P型区及阱区工艺，并完成正面工艺；S600：进行背面缓冲层、背面重掺杂层及漏极工艺，并完成背面工艺。根据上述技术方案的制造方法，简化了工艺流程，增加了工艺窗口，提高了器件的一致性。同时可以缩小JFET区域的横向尺寸，提高器件的性能。

摘要： 一种晶闸管电路(100)，包括至少一个支路，该至少一个支路包括至少一个晶闸管(10、20)、晶闸管控制电路(50)、以及电流检测器(60、61)。电流检测器(60、61)被配置为检测代表流过晶闸管的电流的电流值并且将所检测的电流值输入到晶闸管控制电路中。晶闸管控制电路被配置为基于晶闸管的劣化的阻断能力来确定所检测的电流值超过预先确定的电流阈值的故障条件。基于判断结果，晶闸管控制电路触发晶闸管进入导通状态。

摘要： 本实用新型涉及用于光触发晶闸管的控制电路、晶闸管级、晶闸管阀、换流器、无功补偿装置。用于光触发晶闸管的控制电路包括：电触发晶闸管控制单元，其具有第一输出端，并且被配置为经由所述第一输出端提供电控制信号；以及电‑光转换单元，其具有输入端和输出端，所述输入端与所述电触发晶闸管控制单元的第一输出端电耦接，所述输出端与所述光触发晶闸管的控制极光耦接，所述电‑光转换单元被配置为经由所述输入端从所述电触发晶闸管控制单元接收所述电控制信号并将所接收的电控制信号转换为光控制信号，所述电‑光转换单元还被配置为经由所述输出端将所述光控制信号提供给所述光触发晶闸管的控制极，以控制所述光触发晶闸管导通。

摘要： 本实用新型涉及一种具有引导晶闸管的高频晶闸管芯片，晶闸管芯片包括阳极、硅片、第一阴极、第二阴极、第一门极和第二门极，硅片自下向上依次包括第一P型半导体层、N型半导体层、第二P型半导体层，第二P型半导体层上部设有相互独立的第一N型半导体区和第二N型半导体区，第一阴极与第二门极之间串联一颗电阻，阳极与第一P型半导体层、N型半导体层、第二P型半导体层、第一N型半导体区、第一门极配合形成引导晶闸管，阳极与第一P型半导体层、N型半导体层、第二P型半导体层、第二N型半导体区、第二门极配合形成主晶闸管。有益效果是：本高频晶闸管芯片开通响应有效且快速，还提高触发灵敏度，降低开通损耗，提高di/dt耐量。

摘要： 本实用新型公开一种晶闸管阀体安装装置和晶闸管阀体组件，涉及晶闸管阀体技术领域，以解决现有技术中晶闸管阀体或其它器件的工作性能受到影响的问题。所述晶闸管阀体安装装置应用于晶闸管阀体。上述晶闸管阀体安装装置包括：绝缘安装组件和绝缘连接件。绝缘安装组件包括间隔设置的至少两个绝缘安装板，每一绝缘安装板与绝缘连接件的两端连接。组装后的绝缘安装组件和绝缘连接件之间具有容纳空间，容纳空间用于容纳晶闸管阀体。本实用新型还提供了一种晶闸管阀体组件。上述晶闸管阀体组件包括晶闸管阀体和上述技术方案所述的晶闸管阀体安装装置。晶闸管阀体设置在晶闸管阀体安装装置具有的容纳空间中。