SiC MOSFETs、IGBT和晶闸管的研究进展

著录项

• 来源
  《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》|2015年|100-101|共2页
• 会议地点 苏州
• 作者

  张安平; 周创杰; 崔婧; 周磊蕩; 刘金豆; 王旭辉; 周婷; 张松昌;

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• 作者单位

  中国电子学会;

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• 会议组织
• 正文语种
• 原文格式 PDF
• 中图分类 半导体三极管（晶体管）;
• 关键词

  碳化硅; 金属氧化物半导体场效应晶体管; 绝缘栅双极型晶体管; 晶闸管;