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一种基于外延工艺制备SiC IGBT的方法及SiC IGBT

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本发明提供一种基于外延工艺制备的方法及SiC IGBT，在SiC衬底表面依次形成N+缓冲层、N‑漂移层和N型载流子阻挡层，去除SiC衬底且对N+缓冲层进行抛光处理，采用外延工艺在N+缓冲层表面形成P+集电层；在N型载流子阻挡层表面形成栅极和发射极，并在P+集电层表面形成集电极，在N+缓冲层表面形成P+集电层后，无需再进行减薄工艺处理，减少了碎片概率，大大降低了生产成本；本发明在N+缓冲层表面形成P+集电层，得到的P+集电层掺杂浓度高，制备出的SiC IGBT损耗小，提高了SiC IGBT的导通特性，且采取的工艺与常规制备SiC IGBT的工艺兼容，提高工艺处理过程中的良品率。

著录项

公开/公告号CN111952173A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-17

原文格式PDF
申请/专利权人全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网福建省电力有限公司;
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申请/专利号CN202010632701.2
发明设计人查祎英;张文婷;安运来;杨霏;夏经华;田丽欣;桑玲;田亮;牛喜平;罗松威;吴军民;
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申请日2020-07-01
分类号H01L21/331(20060101);H01L29/08(20060101);H01L29/739(20060101);
代理机构11271 北京安博达知识产权代理有限公司;
代理人徐国文
地址 102209 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
入库时间 2023-06-19 08:55:10

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-07-21

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/331 专利申请号:2020106327012 申请日:20200701

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