机译:逆行P井> 10kV SiC IGBT的性能改进
机译:瞬态性能> 10 kV SiC IGBT,具有优化的逆行P阱
机译:基于6.5 kV Si-IGBT / Si-PiN二极管,6.5 kV Si-IGBT / SiC-JBS二极管和10kV SiC-MOSFET / SiC-JBS的大功率中压转换器的设计比较二极管
机译:优化逆向p阱的超高压4H-SiC IGBT的耐用性
机译:15 kV SiC IGBT实现中压功率转换
机译:基于新型Volterra k最近邻最优修剪极限学习机(VKOPP)模型的绝缘栅双极晶体管(IGBT)剩余寿命估算
机译:关于超高压4H-SiC IGBT的鲁棒性,具有优化的逆行P阱