反向电压

摘要： 该文针对片式钽电容在实际生产和使用过程中短路失效故障率过高的问题,从元器件自身故障原理、使用工艺、电路板设计等方面进行深入分析,最终确定钽电容短路失效是钽电容自身缺陷与外界应力综合作用的结果,外界应力主要有焊接温度应力和反向电压冲击。针对以上原因,从钽电容自身质量、工艺、设计等方面进行改进,通过加严筛选、改手工焊、优化回流曲线等具体措施,有效控制了片式钽电容短路失效故障,保证了其可靠性,提高了钽电容使用质量。

摘要： 在检修EBA阀门的过程中,发现阀门反向电压超过驱动板卡的安全电压,从而导致板卡失灵,烧毁控制板卡,严重影响机组的安全运行.本文将针对本问题进行阐述分析并提出解决方式和优化方案,通过现场的试验找到问题的根源,找到优化控制方案方法与解决问题的方式,从而避免此类问题继续出现,影响核安全,同时为大家在遇到此类问题时提供一种解决问题的思路.

摘要： 通过对分布反馈半导体激光器(DFB-LD)外延片缺陷密度、芯片反向电压以及芯片可靠性三者关联关系的分析,推断出芯片反向电压与芯片可靠性的相关性.设计并通过试验证实反向电压绝对值低的芯片可靠性差,而反向电压满足一定判定标准的芯片早期失效率低且长期可靠性良好.本文证明反向电压测试可以用于DFB激光器芯片的测试标准,作为DFB激光器芯片可靠性的有效筛选手段.

摘要： 针对我司XQG100-RBD1401Ea1型热泵洗护机的投放泵发生不投放柔顺剂质量事件,分析了投放泵不动作是由于投放泵电机在关断后产生反向冲击电压超过固态继电器的耐压,电路上没有增加对反向电压的吸收处理,导致固态继电器击穿.通过在投放泵线束上增加阻容模块进行尖峰电压吸收,控制器的固态继电器两端增加压敏电阻进行钳位,使反向电压降低进行整改.整改后反向电压在固态继电器承受电压范围内,整机运行合格.

摘要： 在汽油机运行过程中,点火线圈通过电磁感应原理,在次级线圈中产生高压电,使火花塞电极生成电火花,点燃发动机汽缸内的油气混合气,实现发动机持续的动力输出.针对点火系统工作过程中产生的反向电压高问题,文章介绍了其产生的原因及解决方案.

摘要： 重点对CRH6A型动车组车门无法打开故障进行了原因分析,详细介绍了改进方案.

摘要： 一、''五''——弄清五个概念1.光子及光子的能量(1)光子是指在空间传播的光束能量的最小单位,它是不可分割的一份能量(即能量是不连续的),光子不带电,是微观领域中一种只含有能量的粒子。

摘要： 为了提升微通道板型光电倍增管(MCP-PMT)能量分辨率,研究不同分压比对能量分辨率的影响,通过分析光电子从入射到倍增的过程,研究影响MCP-PMT能量分辨率的因素.通过调节光电倍增管(PMT)聚焦极电压、两片通道板分压以及通道板间隙电压解决了增益动态范围小、能量分辨率差的问题.实验结果表明,减小聚焦极电压可提高分辨率但收集效率会降低,提高MCP2电压后分辨率略有降低同时动态范围大幅提高,通道板间加反向电压可显著提升能量分辨率.根据实验结果,设计了一种MCP1与MCP2分压比1:1.6、通道板间隙加-35 V反向电压的分压器,将其应用于50只样管,并对样管进行测试,其平均能量分辨率从44减小到33,有效地改善了微通道板型光电倍增管的能量分辨率.

摘要： 回顾了中国国内专家自1970年以来的功率半导体器件专著，摘要说明了这些专著的内容、历史意义、对行业发展的巨大推动作用。作者介绍了普及型的基本生产工艺指导书，阐述了晶闸管设计的基本理论，阐明《高压硅半导体器件绝缘耐压与表面绝缘技术》是提高反向电压特性的重要参考书，最后指明脉冲器件是未来功率半导体器件的重大发展方向之一。

摘要： 随着白光LED效率的不断提高，它已经广泛应用于固态照明。但是外延体材料高的缺陷密度限制了综合性能的不断提高，因此研究外延体材料高的缺陷密度形成机理以及原因，是降低缺陷密度和提高性能的有效手段。通过使用SEM和AFM等设备观测蓝宝石图形化衬底(PSS)上外延GaN体材料的表面、剖面，使用XRD设备得到(102)的摇摆曲线。研究了PSS的深度对反向电压(Vr)和抗静电能力的影响。使用深度为1.8μm的PSS(PSS-1.8)生长的外延片比深度为1.2μm(PSS-1.2)的光提取效率高，但是Vr相对较弱，抗静电能力相对较差。研究表明是因为深度为1.8μm的PSS(PSS-1.8)上外延GaN体材料的缺陷和位错密度高所导致。

摘要： 在使用钽电解电容器时,如果采用不适当的使用方法将会影响电容器的性能.本文针对这个问题,提出了在使用钽电解电容器时一些注意事项,使读者能正确地使用钽电解电容器,并使电容器能充分发挥它的性能.

摘要： 在使用钽电解电容器时,如果采用不适当的使用方法将会影响电容器的性能.本文针对这个问题,提出了在使用钽电解电容器时一些注意事项,使读者能正确地使用钽电解电容器,并使电容器能充分发挥它的性能.

摘要： 在使用钽电解电容器时,如果采用不适当的使用方法将会影响电容器的性能.本文针对这个问题,提出了在使用钽电解电容器时一些注意事项,使读者能正确地使用钽电解电容器,并使电容器能充分发挥它的性能.

摘要： 在使用钽电解电容器时,如果采用不适当的使用方法将会影响电容器的性能.本文针对这个问题,提出了在使用钽电解电容器时一些注意事项,使读者能正确地使用钽电解电容器,并使电容器能充分发挥它的性能.

摘要： 本文简要地介绍了超快速二极的性能管对电力电子电路的影响和现代功率变换对超快速二极管反向恢复特性的要求,超快速二极管的反向恢复参数与使用条件的关系和一些最新超快速二极管的性能.

摘要： 本文简要地介绍了超快速二极的性能管对电力电子电路的影响和现代功率变换对超快速二极管反向恢复特性的要求,超快速二极管的反向恢复参数与使用条件的关系和一些最新超快速二极管的性能.

摘要： 本文简要地介绍了超快速二极的性能管对电力电子电路的影响和现代功率变换对超快速二极管反向恢复特性的要求,超快速二极管的反向恢复参数与使用条件的关系和一些最新超快速二极管的性能.

摘要： 本文简要地介绍了超快速二极的性能管对电力电子电路的影响和现代功率变换对超快速二极管反向恢复特性的要求,超快速二极管的反向恢复参数与使用条件的关系和一些最新超快速二极管的性能.

摘要： 本发明公开了一种半周波电压暂态量的电压时间型馈线反向合闸闭锁方法，无需改动一次设备，仅利用线电压暂态量，通过半周波数据窗计算的有效值和电压互感器精工电压相比较来确定是否闭锁反向合闸，相比原有基于残压工频周波有效值的软件检测模块和硬件检测模块，检测能力提升了4倍，进一步提高了反向合闸闭锁的灵敏度，从而提高了就地馈线自动化故障区段定位与隔离的准确率。

摘要： 本发明公开了一种半周波电压暂态量的电压时间型馈线反向合闸闭锁方法，无需改动一次设备，仅利用线电压暂态量，通过半周波数据窗计算的有效值和电压互感器精工电压相比较来确定是否闭锁反向合闸，相比原有基于残压工频周波有效值的软件检测模块和硬件检测模块，检测能力提升了4倍，进一步提高了反向合闸闭锁的灵敏度，从而提高了就地馈线自动化故障区段定位与隔离的准确率。

摘要： 本发明揭示了一种制作于第一导电类型基片之上的萧特基器件。该器件包括用于降低正向势垒高度而设计的第一导电类型的第一扩散区。该器件进一步包括和第一扩散区相毗邻的用于减小器件反向漏电流而设计的第二导电类型的第二扩散区。

摘要： 本发明公开了一种基于旋转综合矢量脉振高频电压双套绕组反向注入的无位置传感器控制方法，首先将六相永磁电机分成两套绕组进行控制，并设置旋转电压矢量，在第一套绕组的估计d轴、q轴注入该旋转电压矢量的分量，第二套绕组的估计d轴、q轴注入该旋转电压矢量的分量的相反数，然后根据六相电压求取零序电压，对零序电压进行变换后输入至低通滤波器；最后将滤波结果输入至PI环节和积分环节，即可获得电机的估计位置；本发明提供的方法解决了传统脉振高频注入方法中存在的六倍频干扰问题，消除了旋转综合矢量脉振高频电压注入产生的转矩脉动，同时由于相电流高频频率更低，对铁芯的损耗更少。

摘要： 本发明公开了一种三电平载波反向层叠SPWM调制的共模电压抑制方法，包括如下步骤：获取包含中点电压平衡控制的零序电压注入的三相调制波；进行载波反向层叠SPWM调制，获取各相占空比值；根据给定的占空比值修正开关动作时刻；计算新的占空比值；根据计算的占空比输出相应的PWM驱动波形。本发明包括了三电平拓扑载波反向层叠SPWM调制和改进的PWM波占空比优化方法。通过上述控制过程，简化了整体算法的计算步骤，三电平拓扑系统不仅可以使用容易实现的基于载波反向层叠SPWM调制技术，而且通过该技术方案可以更容易地通过零序电压注入实现中点电压平衡控制，更进一步地通过对输出占空比的优化处理抑制输出的共模电压。

摘要： 本实用新型提供一种电压反向装置及包含电压反向装置的硅芯电阻率检测系统，该电压反向装置为继电器，将继电器设置至少两个开关，并将第一开关的常闭触点与第二开关的常开触点短接，第一开关的常开触点与第二开关的常闭触点短接，在继电器未上电和上电时，第一开关的常闭触点和第二开关的常闭触点上的电压反向，该电压反向装置采用电气元件实现，维修和更换更为容易，维修时间短、成本低；通过扩展多组开关，不但可以实现多根硅芯同时检测，提高了硅芯电阻率的检测效率，而且，当其中一组开关出现故障时，还可以继续使用其他组的开关，可靠性更高。

摘要： 一种反向电压可调的反向恢复特性测试电路，属于电力电子技术领域，所述测试电路包括：LC支路、被测非全控性半导体器件支路、半导体组件支路、储能电容支路以及吸能支路；所述LC支路、所述被测非全控性半导体器件支路、半导体组件支路依次串联连接，所述半导体组件支路、所述储能电容支路以及所述吸能支路相互并联。本发明电路用以改善半导体器件瞬态开断所带来的一系列电压过冲、振荡等电磁干扰以及显著的能量损耗，提高了装备的性能。

摘要： 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种反向电压保护电路、电压调整电路、装置及芯片，所述反向电压保护电路包括：电流产生器，所述电流产生器由所述电压调整电路的输出电压Vout供电，以根据所述输出电压Vout产生第一电流；比较器，所述比较器比较所述电压调整电路的输入电压Vin和输出电压Vout，在所述输出电压Vout高于所述输入电压Vin时输出第一控制信号，其中，所述比较器的工作电流由所述第一电流提供；以及低压开关，所述低压开关的控制端连接于所述比较器的输出端，在所述比较器输出第一控制信号时接收所述第一控制信号，关断所述电压调整电路以实现反向电压保护。本公开提供的技术方案，能够在输出电压较低时仍能正常提供反向电压保护。

摘要： 具有过电压和反向电压保护功能的接口器件输出级电路及其实现方式，采用背对背联接的P型MOSFET和N型MOSFET构成输出级电路，P型MOSFET和N型MOSFET的衬底连接采用浮动阱隔离。使得输出级电路能够承受高于电源电压的过电压输入和低于地电位的反向电压，而不会损伤电路本身。解决了发送器接口与总线上数据完全独立的难点及输出斜率控制问题，且结构简单，其限制仅受栅衬之间击穿电压影响。同时该电路仅需改变输出管尺寸，即可调整其驱动能力。

摘要： 本文提供了一种反向电压保护电路及总线收发器，所述反向电压保护电路包括：比较器，电路的输入端口和输出端口与所述比较器的输入端相连接，比较器用于比较所述输入端口和输出端口的电压，输出比较信号；触发电路，接收比较信号，根据比较信号导通/截止连接于输入端口和输出端口之间的MOS管；MOS管，用于防止输出端口的异常电压倒灌至输入端口，采用上述电路，可以比较输入端口和输出端口的电压来导通或者截止触发电路，通过触发电路控制MOS管在截止状态下，防止异常电压倒灌至输入端口中，以反向电压保护电路替代高压二极管的功能，可以减少高压二极管的使用，降低了芯片的制作难度和制造成本。